DDTD143EC-7-F 产品实物图片
DDTD143EC-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD143EC-7-F

商品编码: BM0084964308
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
晶体管 双极 (BJT) 单,预偏置) NPN 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.245
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.245
--
150+
¥0.176
--
1500+
¥0.149
--
3000+
¥0.129
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD143EC-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)47 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

DDTD143EC-7-F手册

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DDTD143EC-7-F概述

DDTD143EC-7-F 产品概述

1. 产品简介

DTD143EC-7-F 是一款高性能的双极性晶体管(BJT),采用 NPN 配置,专为中小功率应用而设计。它在多种电子电路中发挥关键作用,包括开关、放大器及信号处理等。该产品具备出色的电气特性和可靠性,使其成为电子设计领域广受欢迎的选择。

2. 主要特性

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流(Ic): 500mA
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 50V
  • DC 电流增益(hFE): 在不同的 Ic 和 Vce 下,最小可达 47,特别是在 50mA 和 5V 的条件下。
  • 饱和压降(Vce(sat)): 最大 300mV,设定在 2.5mA 和 50mA 的工作状态下。
  • 集电极截止电流: 最大 500nA,这意味着该器件在非导通状态下具有极低的漏电流,提升了电路效率。
  • 跃迁频率: 200MHz,适合高速切换应用,能有效处理高速信号。
  • 功率耗散能力: 最大 200mW,适合一般中功率应用。
  • 安装类型和封装: 表面贴装型(SMD),主要封装为 SOT-23-3,方便电路板布局与自动化生产。

3. 应用领域

DTD143EC-7-F 晶体管因其高集电极电流能力和较低的饱和压降,广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 在开关电源模块中作为开关晶体管使用,提供高效率的电能转换。
  • 信号放大: 在音频和视频信号传输中,利用其高增益特性进行信号放大。
  • 无线通信: 由于其高频特性,可用于无线电频率信号处理,支撑现代通讯设备的性能需求。
  • 数字电路: 在数字逻辑电路中,可以在运算放大器和各种逻辑电路中做开关组件,提供快速响应和低功耗。

4. 性能优势

DTD143EC-7-F 在多个方面体现了高性能的优势:

  • 高效率: 通过低饱和压降和低漏电流,提升电源电路的整体效率,减少能量损耗。
  • 较高的工作频率: 支持高达 200MHz 的频率响应,确保在要求严格的高速应用中保持信号完整性。
  • 可靠性与稳定性: 作为 DIODES(美台) 供应的产品,确保了其在性能与质量上的一致性,适合不同工作环境和温度范围内的应用。

5. 设计注意事项

在设计使用 DDTD143EC-7-F 时,需考虑以下几个关键因素:

  • 热管理: 虽然该晶体管支持最高 200mW 功率,但在高电流工作状态下,确保良好的散热设计至关重要,以防止过热导致性能下降。
  • 电路配置: 在选择基极和发射极电阻(R1 和 R2)时,根据实际应用需要进行合理设计,以优化增益和响应时间。
  • PCB 布局: 由于其为表面贴装元件,在 PCB 布局中应合理安排以降低寄生电容和电感,确保信号质量和工作稳定性。

结论

DTD143EC-7-F 是一款灵活且高效的 NPN 晶体管,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,确实是电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在工业设备、消费电子产品还是通信设备中,它都能够提供稳固的性能支持,满足现代电子设备对效率与性能的双重要求。