晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 47 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DTD143EC-7-F 是一款高性能的双极性晶体管(BJT),采用 NPN 配置,专为中小功率应用而设计。它在多种电子电路中发挥关键作用,包括开关、放大器及信号处理等。该产品具备出色的电气特性和可靠性,使其成为电子设计领域广受欢迎的选择。
DTD143EC-7-F 晶体管因其高集电极电流能力和较低的饱和压降,广泛应用于以下领域:
DTD143EC-7-F 在多个方面体现了高性能的优势:
在设计使用 DDTD143EC-7-F 时,需考虑以下几个关键因素:
DTD143EC-7-F 是一款灵活且高效的 NPN 晶体管,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,确实是电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在工业设备、消费电子产品还是通信设备中,它都能够提供稳固的性能支持,满足现代电子设备对效率与性能的双重要求。