DDTA125TE-7-F 产品实物图片
DDTA125TE-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA125TE-7-F

商品编码: BM0084964307
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.27
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.27
--
150+
¥0.193
--
1500+
¥0.164
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA125TE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)200 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 50µA,500µA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTA125TE-7-F手册

empty-page
无数据

DDTA125TE-7-F概述

DDTA125TE-7-F 产品概述

1. 产品简介

DDTA125TE-7-F 是一款由美台(DIODES)公司生产的表面贴装型 PNP 晶体管,采用 SOT-523 封装。该器件专为各种电子应用设计,提供可靠的性能和高效的电流增益,适用于多种低功耗、高速开关及线性放大电路中。

2. 关键参数

  • 晶体管类型:PNP - 此类型的晶体管适用于负载的低电平控制,特别是在低功耗应用中表现优异。
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA - 该值表明 DDTA125TE-7-F 可安全处理的最大电流,适合驱动多种电子设备。
  • 集射极击穿电压 (Vce):50V - 允许在各类电路中使用,同时足够支持大部分常见的电源电压。
  • 直流电流增益 (hFE):最小值为100,@ 1mA,5V - 此特性使得该晶体管在低电流驱动条件下保持良好的放大能力。
  • 基极电阻 (R1):200 kOhms - 提供足够的增益,而又不导致过多的功耗。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):最大值为300mV,@ 50µA 和 500µA - 这一参数确保该器件在切换状态下的能效不降低,同时保持快速响应能力。
  • 截止电流 (ICBO):最大值为500nA - 该值表明器件的静态特性,反映其在不导电时的优越特性。
  • 跃迁频率:250MHz - 表明了该晶体管适用高频应用的能力,支持高数据传输率的电路设计。
  • 最大功率:150mW - 表示在正常工作条件下,该器件的功耗上限,确保长时间的稳定运行。

3. 应用场景

DDTA125TE-7-F 广泛应用于消费电子、通信设备、便携式设备和工业控制系统等领域。具体应用包括但不限于:

  • 开关电路:利用其高增益和低饱和压降特性,可以用于实现快速的开关控制。
  • 音频放大:在音频设备中,可以运用该器件实现信号的放大,提升音质表现。
  • 偏置电流设置:在一些带有偏置的电路中,合适的基极电阻能够有效降低需要的控制电流。
  • 高频放大器:凭借其较高的跃迁频率,DDTA125TE-7-F 可以在信号处理和 RF 应用中发挥显著作用。

4. 封装与安装

DDTA125TE-7-F 采用 SOT-523 封装,这是一种非常紧凑的表面贴装封装形式,适合于高密度 PCB 布局。这种封装格式提供了优良的热性能,帮助散热,从而支持其高功率处理能力。

5. 总结

DDTA125TE-7-F 是一款高性能的 PNP 晶体管,具备高电流增益、快速开关能力和低静态电流,不仅适合于一般的开关和放大应用,还能满足高精度和高频应用的要求。随着电子产品对高效能和小型化的日益需求,DDTA125TE-7-F 将在多个领域为设计师提供可靠的解决方案。

无论是在新产品的开发,还是在现有系统的优化方面,DDTA125TE-7-F 都可以作为理想的选择,帮助提升电子设备的性能和可靠性。