DCX142TU-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DCX142TU-7-F

商品编码: BM0084963883
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.339
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.339
--
150+
¥0.243
--
1500+
¥0.206
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DCX142TU-7-F参数

晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)470 欧姆
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

DCX142TU-7-F手册

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DCX142TU-7-F概述

DCX142TU-7-F 产品概述

一、基本信息

DCX142TU-7-F 是一款由 DIODES (美台) 生产的双晶体管元件,采用 SOT-363 封装,广泛应用于各种电子电路中。该器件包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,具有预偏压式设计,适合于低功耗和高效率的应用场景。其出色的参数使其在现代电子产品中有着广泛的应用前景。

二、主要特点

  1. 晶体管类型:该器件包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,采用双晶体管结构,能够实现更灵活的电路设计。

  2. 电流与电压规格

    • 最大集电极电流 (Ic):100 mA,适合大多数低功耗应用。
    • 最大集射极击穿电压 (Vce):50 V,确保在高电压下的稳定性。
  3. 增益与饱和压降

    • DC 电流增益 (hFE):在 1 mA 和 5 V 的条件下,最小增益为 100,保证了良好的信号放大能力。
    • Vce 饱和压降:最大值为 300 mV,适用于低信号损耗的设计,允许更高效的电能传输。
  4. 频率响应:具有高达 200 MHz 的跃迁频率,适合高频应用,如 RF 放大器和开关电源电路。

  5. 功率处理能力:最大功率为 200 mW,能够处理多种安全和高效的电流负载。

  6. 外形尺寸与安装类型

    • 封装尺寸:6-TSSOP,SC-88,SOT-363,适合现代紧凑型电路设计。
    • 安装方式:表面贴装型,方便自动化生产和更高的电路密度。

三、应用场景

由于其独特的双晶体管设计和优良的电气特性,DCX142TU-7-F 在多个应用场景中都展现出极大的灵活性:

  1. 音频放大器:凭借其良好的增益特性,DCX142TU-7-F 可以作为音频信号放大器,用于音响设备中。

  2. 开关电源:在开关电源和直流-直流转换器中,能够高效地处理电流,并提供高频操作能力。

  3. 射频信号处理:在 RFID 读写器、无线通信设备等应用中,由于其高频特性,可以有效支持 RF 信号的放大和切换。

  4. 驱动电路:用于驱动继电器、LED 和其他负载,利用其最大 100mA 电流和低饱和压降,可以实现有效的控制。

四、设计与安装建议

在使用 DCX142TU-7-F 时,需要考虑以下几个方面以优化电路性能:

  1. 基极电阻 (R1):建议使用 470 Ω 的基极电阻,以确保适当的输入信号强度,保持晶体管的正常工作状态。

  2. 散热设计:尽管该器件的最大功率为 200 mW,但在高负载条件下,设计时需考虑散热,以避免过热影响器件性能和寿命。

  3. PCB 布局:在 PCB 布局设计中,尽量减少与高频信号相关的干扰,保持信号路径的短和直,以提高性能。

五、总结

DCX142TU-7-F 是一种高效、稳定的双晶体管组件,凭借其良好的电气性能和紧凑的封装设计,使其在现代电子应用中得到广泛应用。无论是在低功耗放大、开关电源、还是 RF 信号处理等领域,DCX142TU-7-F 都能够满足苛刻的技术需求,并为设计工程师提供灵活的解决方案。选择 DCX142TU-7-F 将有助于提升最终产品的性能,满足多样化市场需求。