DDTD122JC-7-F 产品实物图片
DDTD122JC-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD122JC-7-F

商品编码: BM0084963878
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.354
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.354
--
50+
¥0.244
--
1500+
¥0.222
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD122JC-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)47 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

DDTD122JC-7-F手册

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DDTD122JC-7-F概述

DDTD122JC-7-F 产品概述

1. 产品简介

DDTD122JC-7-F 是一款高性能 NPN 型晶体管,专为各种电子应用而设计,具备卓越的电流放大能力和频率响应。这款晶体管属于表面贴装技术 (SMT),其紧凑的 SOT-23 封装使其适合在空间有限的设计中使用。作为 DIODES (美台) 公司的产品,DDTD122JC-7-F 以其高集电极电流和低饱和压降而受到广泛欢迎。

2. 主要参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压 (Vceo): 50V
  • 基极电阻 (R1): 220Ω
  • 发射极电阻 (R2): 4.7kΩ
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值为 47 @ 50mA, 5V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大值为 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 集电极截止电流 (Ic(max)): 500nA
  • 频率响应: 200MHz
  • 最大功率: 200mW
  • 封装类型: SOT-23-3

3. 电气特性

DDTD122JC-7-F 的一个显著特点是其高集电极电流和宽的电压范围,可以处理高达 500mA 的电流而不损坏其结构。这意味着它能够在多种电路条件下稳定运行。此外,采用的 50V 集射极击穿电压使其适用于中等电压的应用。

此晶体管的电流增益 hFE 最小值为 47,在该条件下表现出良好的放大性能,适用于需要高增益的应用场合。饱和压降控制在最大 300mV 的值,使其在开关电路中非常高效,从而减少功耗和热量产生。

4. 应用场景

DDTD122JC-7-F 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电路: 由于其低饱和压降和高集电极电流,DDTD122JC-7-F 是理想的开关设备。在各种开关电路中,它可以高效地控制电流,广泛应用于LED驱动器、继电器驱动等场合。

  • 放大电路: 其高电流增益使得该元件非常适合于音频放大器和射频应用,能够有效地放大信号,增强通信质量。

  • 信号调理: 在传感器和数据采集系统中,此晶体管可用于信号调理,提高信号质量和稳定性,确保系统的可靠性和准确性。

  • 线性电源: 由于其较高的电压耐受性和集电极电流能力,DDTD122JC-7-F 可以用于线性稳压器中,以控制输出电压。

5. 性能稳定性

DDTD122JC-7-F 的高频跃迁特性(200MHz)允许它在高速开关应用中保持稳定性能,展现出良好的频率响应特性。由于该产品提供的最大功率仅为 200mW,因此在应用中需要适当的散热设计,以确保其温度控制在安全范围内。

6. 封装特性

SOT-23-3 封装使得 DDTD122JC-7-F 具有更小的占板面积,便于自动化贴装和大批量生产。其表面贴装设计使元件安装简便,适应各类插装电路板,并提高生产效率。

结论

DDTD122JC-7-F 是一款高效的 NPN 晶体管,具有广泛的应用范围和优良的电气特性。无论是在开关电路、信号放大还是精密控制应用中,它都能够提供高性能和可靠性,被认为是现代电子设计中不可或缺的组件之一。此款晶体管不仅符合当前市场对高效和低功耗电子元件的需求,同时也为设计人员提供了更多创新的可能性。