制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 基本产品编号 | DTB114 |
DTB114是一款由Diodes Incorporated生产的高性能PNP型晶体管。它采用SOT-323封装,适合表面贴装型应用,广泛用于各种电子电路中,如开关电源、放大器和信号处理等。这个晶体管特别适合那些对尺寸和功率限制有严格要求的场合,其小巧的SC-70/SOT-323封装允许其在空间受限的设备中使用。
高效能: DTB114在5mA基极电流和5V集电极-发射极电压下,表现出的直流电流增益(hFE)至少为56,这使得其在小信号放大中表现出色,适合用于低功耗模式的应用。
低饱和压降: 在相对较低的集电极电流情况下,其饱和压降最大仅为300mV,此特性保证了在功率转换和开关应用中高效率运行。
高频响应: 此器件的跃迁频率高达200MHz,能够支持宽带应用,对抗干扰能力强,适合射频和高频电路设计。
小体积与轻量化: 采用SOT-323封装的DTB114,体积小巧,适合现代电子设备对轻便和小型化的需求,能够有效节省电路板空间,使其在便携式设备和紧凑型设计中尤为重要。
稳定性: ICBO最大值为500nA,即使在高温和长时间工作条件下,也能保持其电流特性稳定,保证系统的可靠性。
DTB114可广泛应用于各种电子产品中,主要包括但不限于以下领域:
DTB114是Diodes Incorporated推出的一款高效能、小型化的PNP型晶体管,凭借其优异的电流增益、低饱和压降和高频率响应,成为各种电子设备和电路设计的重要组成部分。它不仅满足了对功率和空间的限制要求,更为高频信号的处理与放大提供了理想的解决方案。无论在消费类电子产品、通信器材,还是在工业设备中,DTB114都展现出不可替代的价值和应用前景。