DDTB114GU-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB114GU-7-F

商品编码: BM0084963703
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB114GU-7-F参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW基本产品编号DTB114

DDTB114GU-7-F手册

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DDTB114GU-7-F概述

DDTB114GU-7-F 产品概述

DTB114是一款由Diodes Incorporated生产的高性能PNP型晶体管。它采用SOT-323封装,适合表面贴装型应用,广泛用于各种电子电路中,如开关电源、放大器和信号处理等。这个晶体管特别适合那些对尺寸和功率限制有严格要求的场合,其小巧的SC-70/SOT-323封装允许其在空间受限的设备中使用。

基本参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 零件状态: 有源
  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 封装类型: SOT-323
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 功率 - 最大值: 200mW
  • 频率 - 跃迁: 200MHz
  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 @ 5mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
  • 电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
  • 包装: 卷带(TR)

关键特性

  1. 高效能: DTB114在5mA基极电流和5V集电极-发射极电压下,表现出的直流电流增益(hFE)至少为56,这使得其在小信号放大中表现出色,适合用于低功耗模式的应用。

  2. 低饱和压降: 在相对较低的集电极电流情况下,其饱和压降最大仅为300mV,此特性保证了在功率转换和开关应用中高效率运行。

  3. 高频响应: 此器件的跃迁频率高达200MHz,能够支持宽带应用,对抗干扰能力强,适合射频和高频电路设计。

  4. 小体积与轻量化: 采用SOT-323封装的DTB114,体积小巧,适合现代电子设备对轻便和小型化的需求,能够有效节省电路板空间,使其在便携式设备和紧凑型设计中尤为重要。

  5. 稳定性: ICBO最大值为500nA,即使在高温和长时间工作条件下,也能保持其电流特性稳定,保证系统的可靠性。

应用领域

DTB114可广泛应用于各种电子产品中,主要包括但不限于以下领域:

  • 信号放大器: 由于其良好的增益特性,DTB114适合作为信号放大器使用,增强信号传输能力。
  • 开关电路: 其低饱和压降特性使其非常适合用作电子开关,满足高效能和低功耗的设计需求。
  • 音频设备: 在音频放大器和处理设备中,DTB114能够有效放大微弱的音频信号。
  • 无线电频率电路: 200MHz的频率响应使其能够用于无线电通信和高频应用,保证信号的传递和增强。
  • 便携式设备: 由于其小巧的封装形式,广泛应用于手持设备如智能手机、音频播放器和其他消费电子产品。

总结

DTB114是Diodes Incorporated推出的一款高效能、小型化的PNP型晶体管,凭借其优异的电流增益、低饱和压降和高频率响应,成为各种电子设备和电路设计的重要组成部分。它不仅满足了对功率和空间的限制要求,更为高频信号的处理与放大提供了理想的解决方案。无论在消费类电子产品、通信器材,还是在工业设备中,DTB114都展现出不可替代的价值和应用前景。