晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 1 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTB113EC-7-F 是一款高性能的PNP型晶体管,属于美台(DIODES)公司高频及低功耗器件系列。该器件采用SOT-23封装,旨在实现表面贴装,以满足现代电子产品小型化的设计需求。DDTB113EC-7-F 特别适用于开关和放大应用,因其具有优良的电气性能和兼容性,非常适合现今对高效能、低功耗电子设备的市场需求。
DDTB113EC-7-F采用SOT-23-3封装设计,具备优良的热性能和紧凑的尺寸特性,非常适合集成到各种小型电子设备中。加之其表面贴装型设计,便于实现自动化焊接,提高生产效率,简化组装流程。
DDTB113EC-7-F广泛应用于:
DDTB113EC-7-F是一款功能强大且高度可靠的PNP型晶体管,凭借其优异的电气参数和适应性广泛的应用场景,成为许多电子设计工程师的首选。其设计满足了现代电子设备对小型化和高效能的需求,助力推动电子产品的创新与发展。