DDTB123EU-7-F 产品实物图片
DDTB123EU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB123EU-7-F

商品编码: BM0084963698
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB123EU-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)2.2 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)39 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTB123EU-7-F手册

empty-page
无数据

DDTB123EU-7-F概述

DDTB123EU-7-F 产品概述

一、产品简介

DDTB123EU-7-F是由美台DIODES公司推出的一款高性能PNP型晶体管。该器件采用先进的表面贴装技术(SMD),其外形规约为SOT-323封装,提供了高效的电流控制与开关能力,适合多种电子应用。

二、基本参数

该PNP晶体管的主要参数如下:

  • 电流 - 集电极 (Ic):最大可承受500mA的集电极电流,使其适用于中等功率的应用;
  • 电压 - 集射极击穿:具有最高50V的抗击穿能力,能够适应高电压环境下的工作需求;
  • DC电流增益 (hFE):在集电极电流为50mA、Vce为5V的条件下,其直流电流增益(min)为39,确保了高效的放大能力;
  • Vce饱和压降:在2.5mA至50mA范围的电流下,最大饱和压降仅为300mV,极大地提高了功率转换效率;
  • 截止电流:在无驱动状态下,集电极截止电流最大为500nA,显示出优秀的漏电性;
  • 频率 - 跃迁:该晶体管的跃迁频率高达200MHz,可以满足高频开关的需要;
  • 最大功率:可承受的最大功率为200mW,适合于小型电子电路及低功耗应用。

三、电路连接与应用

此PNP晶体管的电路连接相对简单,基极电阻(R1)和发射极电阻(R2)均为2.2 kOhms。合理的阻值选择确保了晶体管的稳定工作及提高了电路的控制精度。该产品广泛应用于各种线路的开关控制、信号放大、以及音频驱动电路等。

四、应用场景

DDTB123EU-7-F晶体管在现代电子设备中非常实用,尤其在以下几种场景中表现突出:

  1. 开关电路:由于其较高的电流承载能力与低饱和压降,适合用于开发高效的开关模式电源;
  2. 信号放大器:其合理的增益特性及优良的频率响应,可以用于音频电路或无线信号放大;
  3. 线性稳压电源:可应用于线性稳压电路,提供稳定的输出电压;
  4. 电子开关:广泛应用于家庭自动化和控制系统中,通过控制元件的导通与关断来实现对家用电器的智能控制。

五、设计考虑

在使用DDTB123EU-7-F时,设计者需要考虑其工作环境的电压和电流规格,确保在设备极限范围内正常工作。在电路设计中应合理选择基极与发射极的电阻值,以便确保最佳的工作状态和线性响应。如果在热环境或高频操作情况下使用,还需考虑散热措施,以防器件过热损坏。

六、总结

DDTB123EU-7-F是一款功能强大、性能优越的PNP晶体管,适合多种电子应用。无论是在电源管理、信号处理,还是在各种开关控制场合,DDTB123EU-7-F都能以其高效、高灵敏度和低功耗的特点满足客户的需求。作为DIODES品牌旗下的产品,DDTB123EU-7-F在稳定性和可靠性方面也拥有良好的口碑,适合广大电子工程师和设计师的选用。