晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 39 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTB123EU-7-F是由美台DIODES公司推出的一款高性能PNP型晶体管。该器件采用先进的表面贴装技术(SMD),其外形规约为SOT-323封装,提供了高效的电流控制与开关能力,适合多种电子应用。
该PNP晶体管的主要参数如下:
此PNP晶体管的电路连接相对简单,基极电阻(R1)和发射极电阻(R2)均为2.2 kOhms。合理的阻值选择确保了晶体管的稳定工作及提高了电路的控制精度。该产品广泛应用于各种线路的开关控制、信号放大、以及音频驱动电路等。
DDTB123EU-7-F晶体管在现代电子设备中非常实用,尤其在以下几种场景中表现突出:
在使用DDTB123EU-7-F时,设计者需要考虑其工作环境的电压和电流规格,确保在设备极限范围内正常工作。在电路设计中应合理选择基极与发射极的电阻值,以便确保最佳的工作状态和线性响应。如果在热环境或高频操作情况下使用,还需考虑散热措施,以防器件过热损坏。
DDTB123EU-7-F是一款功能强大、性能优越的PNP晶体管,适合多种电子应用。无论是在电源管理、信号处理,还是在各种开关控制场合,DDTB123EU-7-F都能以其高效、高灵敏度和低功耗的特点满足客户的需求。作为DIODES品牌旗下的产品,DDTB123EU-7-F在稳定性和可靠性方面也拥有良好的口碑,适合广大电子工程师和设计师的选用。