功率(Pd) | 680mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 175mΩ@300mA,4.5V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 38pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 1.6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
DMN2310U-13 是一款由美台 (DIODES) 生产的 N 沟道场效应管 (MOSFET),其额定功耗为 480mW,额定漏极到源极电压为 20V,漏极电流可达到 1.6A。这款器件采用 SOT-23-3 封装,适合用于广泛的电子应用。凭借其优异的性能和紧凑的封装设计,DMN2310U-13 是现代电子电路中不可或缺的关键组件。
高功率处理能力:DMN2310U-13 的功耗可达 480mW,使其非常适合功率敏感型应用。在许多电源管理、电机驱动和开关应用中,此特性使其能够高效地处理较高的负载。
适中电压和电流规格:设备支持最高 20V 的漏源电压以及 1.6A 的漏电流,适合多种中等功率的应用。这个特性使得它在汽车、消费电子、电脑外设等领域有着广泛的应用潜力。
小型化设计:SOT-23-3 封装使得 DMN2310U-13 不仅节省了 PCB 空间,还具有良好的热管理能力。这种小型化设计非常适合现代电子产品对尺寸的严格要求。
快速切换速度:作为场效应管,DMN2310U-13 的开关速度快,适用于高频开关应用。其快速响应能力可以帮助用户提高电路的整体效率,并降低开关损耗。
高开关效率:DMN2310U-13 在开关操作中能够实现低导通阻抗,这意味着在开关动作期间会产生较小的能量损耗。这一点在需要高效能量转换的应用中尤为重要。
DMN2310U-13 适用于多种电子应用,包括但不限于:
作为美台的 MOSFET 产品,DMN2310U-13 拥有可靠的性能和稳定的质量,其竞争优势在于:
DMN2310U-13 N 沟道 MOSFET 的设计理念是为解决现代电子产品对性能和空间的双重要求。无论是在电源管理、信号开关或电动机驱动等领域,DMN2310U-13 都提供了高效率、紧凑性和卓越的可靠性,是一款值得信赖的电子元件。通过选用 DMN2310U-13,设计工程师可以在提高电路性能的同时,有效控制系统成本,达到更高的市场竞争力。