DMN2310U-13 产品实物图片
DMN2310U-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN2310U-13

商品编码: BM0084963693
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 480mW 20V 1.6A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.194
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.194
--
150+
¥0.139
--
1000+
¥0.125
--
5000+
¥0.119
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2310U-13参数

功率(Pd)680mW反向传输电容(Crss@Vds)6pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)175mΩ@300mA,4.5V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)栅极电荷(Qg@Vgs)700pC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)38pF@10V连续漏极电流(Id)1.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)950mV@250uA

DMN2310U-13手册

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DMN2310U-13概述

DMN2310U-13 产品概述

概述

DMN2310U-13 是一款由美台 (DIODES) 生产的 N 沟道场效应管 (MOSFET),其额定功耗为 480mW,额定漏极到源极电压为 20V,漏极电流可达到 1.6A。这款器件采用 SOT-23-3 封装,适合用于广泛的电子应用。凭借其优异的性能和紧凑的封装设计,DMN2310U-13 是现代电子电路中不可或缺的关键组件。

主要特点

  1. 高功率处理能力:DMN2310U-13 的功耗可达 480mW,使其非常适合功率敏感型应用。在许多电源管理、电机驱动和开关应用中,此特性使其能够高效地处理较高的负载。

  2. 适中电压和电流规格:设备支持最高 20V 的漏源电压以及 1.6A 的漏电流,适合多种中等功率的应用。这个特性使得它在汽车、消费电子、电脑外设等领域有着广泛的应用潜力。

  3. 小型化设计:SOT-23-3 封装使得 DMN2310U-13 不仅节省了 PCB 空间,还具有良好的热管理能力。这种小型化设计非常适合现代电子产品对尺寸的严格要求。

  4. 快速切换速度:作为场效应管,DMN2310U-13 的开关速度快,适用于高频开关应用。其快速响应能力可以帮助用户提高电路的整体效率,并降低开关损耗。

  5. 高开关效率:DMN2310U-13 在开关操作中能够实现低导通阻抗,这意味着在开关动作期间会产生较小的能量损耗。这一点在需要高效能量转换的应用中尤为重要。

应用领域

DMN2310U-13 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 电源开关:在开关电源和自适应电压调节电源(buck、boost 转换器)中,充当开关元件,有助于实现高效能量转换。
  • 信号开关:可用于音频回路、信号路由和其他需要快速开关的应用,通过控制信号路径提高电路灵活性。
  • 电机控制:在电机驱动电路中,DMN2310U-13 可以作为功率开关,用于控制电机的启停及调速。
  • LED 驱动:广泛应用于 LED 照明产品中,作为开关提升设计方案的效率和稳定性。
  • 汽车应用:在电动汽车和传统汽车电子中,该元件可用于电源分配和负载控制。

性能参数

  • 最大漏极电压 (V_DS): 20V
  • 最大漏电流 (I_D): 1.6A
  • 功耗 (P_D): 480mW
  • 封装类型: SOT-23-3
  • 温度范围: 通常操作温度范围为 -55°C 到 +150°C,适用于多种应用环境。

竞争优势

作为美台的 MOSFET 产品,DMN2310U-13 拥有可靠的性能和稳定的质量,其竞争优势在于:

  • 优越的导通阻抗: 相比于同类产品,具备更低的导通阻抗,进一步提高了电路效率。
  • 高温稳定性: 在高温环境下依然保持优良的性能,适合用于温度变化较大的应用场景。
  • 良好的市场口碑: 美台作为知名的半导体制造商,提供了丰富的支持文档和优质的售后服务。

总结

DMN2310U-13 N 沟道 MOSFET 的设计理念是为解决现代电子产品对性能和空间的双重要求。无论是在电源管理、信号开关或电动机驱动等领域,DMN2310U-13 都提供了高效率、紧凑性和卓越的可靠性,是一款值得信赖的电子元件。通过选用 DMN2310U-13,设计工程师可以在提高电路性能的同时,有效控制系统成本,达到更高的市场竞争力。