制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 基本产品编号 | DTB143 |
概述
DDTB143TU-7-F是一款由Diodes Incorporated制造的PNP型晶体管,是一种高性能的低功耗电子元器件,非常适用于多种电子电路和设备中。该产品采用SOT-323封装,以卷带(TR)形式提供,便于自动化贴片作业。这款晶体管广泛应用于放大、开关、和驱动电路等场合,尤其是在需要低功耗和高增益的应用中表现出色。
基本特性
制造商和品牌: DDTB143TU-7-F由Diodes Incorporated生产,作为一家知名的半导体制造商,Diodes在电子元器件领域享有良好的声誉。
类型与状态: 该晶体管为PNP型,属于预偏压(pre-biased)类型,适合在大多数常见信号处理和开关应用中使用。器件状态为有源,意味着它在积极工作时能够提供特定的电流增益。
增益与饱和特性: DDTB143TU-7-F在不同的集电极电流 (Ic) 和集电极-发射极电压 (Vce) 下,能够提供最小电流增益(hFE)为100,工作条件为5mA和5V。其Vce饱和压降在特定电流条件下最大为300mV(在集电极电流为50mA时),这降低了开关损失,提高了电路效率。
电气性能:
频率响应与功率处理: DDTB143TU-7-F具有频率跃迁特性,最高可达200MHz,适用于高频应用。其最大功率处理能力为200mW,确保在高负载长期运行时的可靠性。
封装与安装: 本产品采用的是SOT-323封装格式,体积小巧,适合用于空间有限的表面贴装(SMD)应用。卷带包装方便自动化贴片,增加了生产效率。
基极电阻: 产品的基极电阻推荐值为4.7 kOhms,这为设计人员在实现良好开关性能时提供了便利。
应用场景
DDTB143TU-7-F可广泛应用于各种电子电路中,包括但不限于:
总结
DDTB143TU-7-F是一款高效能的PNP型晶体管,集成了高电流增益和低饱和压降的优点,其在表面贴装应用中表现抢眼。凭借其强大的电气特性和灵活的应用范围,该产品是现代电子设备设计中不可或缺的元器件之一。使用DDTB143TU-7-F可以帮助电子工程师设计出性能卓越、可靠性高的电路系统,满足日益增长的市场需求。