DMP2120U-13
DMP2120U-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 62 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 487pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 800mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP2120U-13手册
DMP2120U-13概述
DMP2120U-13 产品概述
产品简介
DMP2120U-13 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由美台（DIODES）公司设计与制造。此器件专为低功耗应用而设计，具备优秀的电流传输能力和低导通电阻，非常适合于多种电子电路的驱动和开关应用。
主要特性
电气参数：DMP2120U-13 的漏源电压（Vdss）为 20V，适合于中低压应用。其最大连续漏极电流（Id）为 3.8A，确保在典型工作条件下能够稳定运行。器件额定功率耗散达到 800mW，提供了良好的功率管理能力。
导通阻抗和电流控制：在 4.5V 的栅极驱动电压下，DMP2120U-13 的最大导通电阻（Rds On）为 62 毫欧，能够有效地降低在开关操作中产生的能量损耗。该器件在不同的漏极电流（Id）和栅源电压（Vgs）下，展现出优化的导通性能。
栅极阈值电压：该器件的 Vgs(th) 最大值为 1V，在 250 µA 的漏极电流下，展现出极低的开启电压，使其在低电压驱动下能够更早地导通，适合信号处理和高频开关电路的需求。
频率特性：输入电容（Ciss）最大值为 487pF，保证了在快速开关操作下，器件可以迅速响应，同时保持良好的高频特性，这使得 DMP2120U-13 特别适合应用在开关电源、马达驱动和其它高频率设计中。
温度范围与封装：DMP2120U-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合于各种极端环境应用。而其 SOT-23 封装（TO-236-3，SC-59，SOT-23-3）设计使得在 PCB 板上的安装更加简便，符合大多数现代表面贴装技术的要求。
应用场合
DMP2120U-13 被广泛应用于各种电子设备的电源管理、开关电路和信号放大器等场合。其低导通阻抗和小型封装设计，使其成为手机、便携式设备、计算机外围电路、LED 驱动和电机控制等领域的理想选择。此外，由于具备良好散热特性和耐高温性能，此器件也适用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。
总结
综上所述，DMP2120U-13 作为一款优质的 P 型 MOSFET，提供了理想的电气性能和可靠的工作环境适应性。其低导通电阻和高电流处理能力，使其在多种应用中表现突出，助力设计师实现高性能、高效率的电路设计。在选择合适的 MOSFET 元件时，DMP2120U-13 无疑是一个出色的选择，尤其是在注重功耗与效率的现代电子产品中。