DDTD143TC-7-F 产品实物图片
DDTD143TC-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD143TC-7-F

商品编码: BM0084963683
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.395
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.395
--
50+
¥0.272
--
1500+
¥0.248
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD143TC-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 50mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

DDTD143TC-7-F手册

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DDTD143TC-7-F概述

DDTD143TC-7-F 产品概述

产品名称和型号:
DTD143TC-7-F 是一款由 DIODES(美台)推出的NPN型表面贴装晶体管,封装类型为SOT-23,这使得其在电子应用领域中具有较高的便利性和灵活性。

基本参数:
该晶体管的主要参数包括最大集电极电流(Ic)为500mA,集射极击穿电压(Vce)最大值为50V。它的直流电流增益(hFE)在特定条件下的最小值达到了100,这使得该器件在大多数常见的放大应用中表现出良好的性能。此外,其Vce饱和压降(最大值)为300mV,这在低功耗应用中是非常重要的,因为较低的饱和压降能够提升整体电路的效率。

电气特性:
在研究该晶体管的开关特性时可以注意到,能支持的最大集电极截止电流(ICBO)为500nA,这意味着即使在没有基极电流的情况下,晶体管也能保持相对较低的漏电流。频率跃迁可达200MHz,使其在高频应用中依然能够保持良好的工作性能。这使得 DDTD143TC-7-F 适合用于高频开关电源、RF放大器等电路设计。

工作环境与安装:
由于该产品为表面贴装型(SMD),它非常便于在现代电子设备中进行焊接和集成,特别是在空间受限的情况中,SOT-23封装的优势得以显现。具体的封装尺寸为3mm x 1.6mm x 1.0mm,符合国际标准,因此广泛适用于各种电路板制造。用户可以轻松地将其集成到不同的电路设计中,降低了整合的复杂度。

应用场景:
DTD143TC-7-F 晶体管由于其优良的电气特性,适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 信号放大器: 由于其高hFE值和低饱和压降,该晶体管能够作为音频和视频信号的放大器使用,适用于电视、音响等设备中。

  2. 开关电源: 该产品能够在严格的工作环境中稳定工作,适合于开关型电源电路和电源管理应用。

  3. 射频应用: 由于其高频特性,适合在无线通信设备和射频放大器中使用,确保信号的稳定传输。

  4. 单片机和嵌入式系统: 大多数现代电子产品中都嵌入了单片机和微控制器,该产品可用来作为输出驱动或开关元件,实现对负载的控制。

  5. 传感器接口: DDTD143TC-7-F 可以组成传感器接口电路,以处理来自温度、光线、强度等不同类型的传感器生成的模拟信号。

总结:
DTD143TC-7-F 是一款功能强大且多用途的NPN晶体管,凭借其广泛的电气参数,尤其在集电极电流、击穿电压及频率特性上的优良表现,使其成为现代电子设备设计中的理想选择。不论是在开关电源、信号放大、射频应用还是其它嵌入式系统中,它都能为设计师提供可靠的性能和灵活的应用方案。