晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,6V |
功率 - 最大值 | 450mW | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
DN0150ALP4-7 是一款由 DIODES(美台)制造的高性能 NPN 型晶体管,专为高效电子电路设计而打造,适用于多种应用场景。该器件具有出色的电流增益和低饱和压降,使其在开关和放大电路中表现优异。本产品在信号放大、开关应用以及小型电源管理电路中都能发挥重要角色。
DN0150ALP4-7 适用于多种电子设计,包括:
凭借其优异的电气性能和耐用性,DN0150ALP4-7 是一款多功能、高效率的NPN晶体管,非常适合现代电子工程师在高密度、热管理要求严格的场合下选择。其广泛的应用范围和卓越的性能使其成为设计师的理想选择,为各种电子设备提供可靠的解决方案。对于追求高效能和高可靠度的工程项目,DN0150ALP4-7无疑是一款值得考虑的理想产品。