晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 欧姆 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
DDA142TH-7是一款高性能的双PNP晶体管,适用于多种电子应用,尤其在信号放大和开关电路中具有出色的表现。该器件由DIODES(美台)公司生产,采用SOT-563封装,适合表面贴装,提供了较高的集成度和良好的电气性能。产品的设计满足现代电子设备对功率、效率和信号完整性的高要求。
晶体管类型:DDA142TH-7内含两个PNP晶体管,具有典型的预偏压式特性,适合多种信号处理应用。
电流和电压特性:
频率响应:具备高达200MHz的跃迁频率,使其在高频信号放大场合中表现优异,适用于高速开关和射频电路设计。
增益特性:在工作条件下,DDA142TH-7的直流电流增益 (hFE) 最小值为100,适合于信号放大的需求,确保较小的输入电流能够有效驱动更大的负载。
饱和压降:在满足特定条件下(250µA,5mA)的最大Vce饱和压降为300mV,优化了功率损耗,有助于提高电路的整体效率和热管理。
功率处理能力:最大功率处理能力为150mW,确保在适当的工作条件下,产品可以长时间稳定运行,而不会过热或失效。
安装类型及封装:该晶体管采用表面贴装型(SMD)结构,封装尺寸为SOT-563,适合现代小型化设计需求,简化了自动化生产过程中的安装。
DDA142TH-7适用于多种电子产品的设计和开发场景,包括但不限于:
DDA142TH-7是一个可靠的双PNP晶体管,提供出色的电气特性和多样的应用场景。其高增益、高频率、较小的饱和压降和适中的功率处理能力,使其成为现代电子设计中的一种优秀组件。无论是在音频设备、开关电源,还是在射频通信系统中,DDA142TH-7都展现出极大的设计灵活性和应用潜力,为电子工程师和开发人员提供了强有力的支持,满足了当今对高性能电子元件日益增长的需求。