MMDT3904V-7 产品实物图片
MMDT3904V-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMDT3904V-7

商品编码: BM0084963257
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.012g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.698
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.698
--
50+
¥0.482
--
1500+
¥0.438
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMDT3904V-7参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563
基本产品编号MMDT3904V

MMDT3904V-7手册

empty-page
无数据

MMDT3904V-7概述

MMDT3904V-7 产品概述

产品简介

MMDT3904V-7是一款由Diodes Incorporated制造的高性能NPN双晶体管,专为各种电子应用而设计。这款三极管集成了高效的电流放大功能,适用于信号处理、开关、放大和其他类型的电子电路。其结构紧凑,采用SOT-563封装,适用于表面贴装,便于与现代电子设备相结合。

主要特性

  1. 电流与电压规格

    • 集电极电流(Ic)最大值:200mA,满足高电流负载的要求。
    • 集射极击穿电压(Vce)最大值:40V,提供良好的电压耐受能力,适合电源和主电路中使用。
  2. 饱和压降

    • 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,MMDT3904V-7的饱和压降最大为300mV(针对5mA及50mA),确保低功耗和较小的热量生成。
  3. DC电流增益(hFE)

    • 在10mA和1V的条件下,其最小增益达到100,这意味着该晶体管能够提供良好的放大性能,适合用于高增益信号处理。
  4. 宽频响应

    • 该器件的频率跃迁达到了300MHz,适用于高速开关和高频交流信号的处理,在通信、音频和射频应用中具有广泛的适用性。
  5. 高可靠性工作温度范围

    • 工作温度范围从-55°C 到150°C,确保在极端环境下也能可靠运行,适用于汽车、工业控制及军用应用等严苛环境。
  6. 紧凑的封装

    • SOT-563封装设计使其占用空间极少,有助于在空间受限的板级设计中提供灵活性,同时易于实现大规模生产。

应用领域

MMDT3904V-7因其卓越的性能被广泛应用于以下领域:

  • 消费电子:如音响、电视、数字设备,作为信号放大器或开关元件。
  • 通信设备:用于移动电话、基站等设备,处理射频信号。
  • 工业设备:在控制系统中作为开关控制或信号调节元件。
  • 汽车电子:温度、压力传感器等应用中,提供可靠的信号放大和开关功能。
  • 军用设备:在高温环境下可稳定工作,适合苛刻的工作条件。

使用注意事项

在使用MMDT3904V-7时,应注意以下几点:

  • 遵循最大电流和电压参数,避免对器件造成损伤。
  • 根据具体应用场合选择合适的偏置配置,以保证最佳的性能和效率。
  • 进行充分的散热设计,防止过热影响器件的长期稳定性。
  • 在设计电路时,要考虑频域性能,以确保其在所需频率范围内的有效工作。

结论

MMDT3904V-7是一款具有高性能、高可靠性和灵活应用的NPN三极管,广泛适用于需求严格的电子产品。其多样的特性使其成为现代电路设计的理想选择,能够满足各类消费者和工业需求。随着电子技术的不断进步,MMDT3904V-7的应用范围将进一步扩大,为更多领域带来高效与可靠的解决方案。