DNLS160V-7 产品实物图片
DNLS160V-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DNLS160V-7

商品编码: BM0084963256
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT666
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Trans GP BJT NPN 60V 1A 300mW 6-Pin SOT-563 T/R
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.644
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.644
--
50+
¥0.445
--
1500+
¥0.404
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DNLS160V-7参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)250 @ 1mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁150MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

DNLS160V-7手册

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DNLS160V-7概述

DNLS160V-7 产品概述

DNLS160V-7 是一款高性能的NPN型晶体管,专为各种电子应用而设计。其采用SOT-563封装,这种表面贴装技术(Surface Mount Technology, SMT)使得DNLS160V-7在电路板上占用更小的空间,同时也方便了自动化焊接和组装。这款晶体管的关键参数和性能如下:

1. 基本电气特性

  • 类型: DNLS160V-7 是一款NPN型双极晶体管,适用于中等功率的开关和放大应用。
  • 集电极电流 (Ic): 该晶体管的集电极电流最大可达1A,能够满足大部分小型电子设备的驱动需求。
  • 集射极击穿电压 (Vceo): 最大击穿电压为60V,确保在大多数电路中不会轻易发生击穿故障,适合高电压工作环境。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的Ib和Ic条件下,Vce饱和压降最大为250mV(在Ic为100mA及1A时),有助于降低功耗,提高效率。

2. 性能特征

  • DC电流增益 (hFE): 在标准的工作条件下,DNLS160V-7的电流增益至少为250,适合中小电流放大的应用,能够提供稳定的增益效果。
  • 集电极截止电流 (Ic(off)): 最大截止电流仅为100nA,显示出优良的开关特性,并且在关断状态下的能量损耗极小。
  • 频率特性: 具备150MHz的频率跃迁特性,适用于高频信号的放大和切换,尤其在通信和射频设备中具有较大的应用潜力。

3. 热特性

  • 功率耗散: 最大功率耗散为300mW,确保在正常工作状态下晶体管保持良好的热性能,防止过热导致损坏。
  • 工作温度范围: DNLS160V-7的工作温度范围宽,从-55 °C至150 °C,适合各种恶劣环境中使用,为设计人员提供更大的灵活性。

4. 应用领域

DNLS160V-7 的设计使其在多个应用中均能发挥重要作用,包括但不限于:

  • 开关电源: 适用于DC-DC转换器,提供高效的电能转化。
  • 小信号放大器: 在音频和射频放大电路中能够提供高增益的放大解决方案。
  • 驱动负载: 在马达驱动、继电器控制等场景中,能够有效控制较大电流。

5. 供应商和封装

DNLS160V-7 由知名电子元件制造商DIODES(美台)生产,采用6引脚的SOT-563封装,进一步提升了安装的便捷性与电路设计的简洁性。该元器件既适合用于新产品的设计,也适合对现有电子产品进行更新升级。

总结

总的来说,DNLS160V-7 是一款具有竞争力的NPN型晶体管,结合了优越的电气性能、广泛的应用适应性和可靠的工作特性,是电子设计师在选择小型化、高效能元器件时的理想选择。得益于其高达1A的集电极电流、60V的集射极击穿电压、250mV的饱和压降以及-55°C到150°C的广泛工作温度范围,DNLS160V-7 具备了良好的市场适应性和广泛的应用前景。