晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 180mV @ 50mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 270 @ 200mA,2V |
功率 - 最大值 | 900mW | 频率 - 跃迁 | 140MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
一、基本信息
2DB1697-13是一款高性能的PNP晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件由DIODES公司制造,采用SOT-89封装,适合表面贴装,提供了方便的安装方式和较小的占用空间。其设计目标是满足现代电子产品对高效、稳定和紧凑组件的需求。
二、性能特点
1. 电气特性
**最大集电极电流 (Ic):**2A:这使得2DB1697-13适合于承载相对较高的电流,适用于大多数中功率应用。
**最大集射极击穿电压 (Vces):**12V:该器件能够承受较低的电压击穿,这使其在许多低压应用场景中表现出色。
**饱和电压 (Vce(sat)):**在50mA和1A下,最大饱和压降为180mV。低饱和压降意味着该晶体管在导通状态下能够有效减少功耗,提高能效,适合电源管理及开关电路等应用。
**截止电流 (ICBO):**最大值为100nA:这一极小的截止电流使得器件在关闭状态时非常稳定,能够有效抑制漏电流。
**直流电流增益 (hFE):**在200mA、2V的条件下,最小值可达270:高电流增益使得该晶体管非常适合于低输入电流驱动高输出电流的应用场景,非常适合信号放大和开关控制。
2. 温度和频率
工作温度范围:-55°C至150°C:宽广的工作温度范围使得2DB1697-13可以在极端环境下正常工作,适合应用于汽车电子、工业控制等对温度敏感的场合。
**跃迁频率:**140MHz:相对高的工作频率使得该器件能够在射频和高频应用中能够表现出色,例如在无线通信、信号处理等领域。
三、应用场景
2DB1697-13的多样化特性使其适用于多种应用场景,包括:
**开关电源:**高集电极电流和低饱和电压使得该器件在开关电源中表现十分优秀,能够高效地转换和管理电能。
**信号放大:**得益于高电流增益,2DB1697-13能够在音频、RF和其他信号放大应用中发挥作用。
**汽车电子:**宽温工作范围和高耐受电流特性使得该晶体管非常适合于汽车电子设备,如电子控制单元(ECU)和传感器等。
**工业控制系统:**在各种工业自动化设备中,通过2DB1697-13进行开关控制,可以实现对电机、继电器和其他控制元件的有效驱动。
四、封装与安装
封装方面,2DB1697-13采用SOT-89封装,对于电路板的空间要求较小,方便实现高密度设计。表面贴装类型(SMD)符合现代电子设备对快速生产和高效组装的需求,尤其适合自动化生产线的使用。
五、总结
总之,2DB1697-13是一款功能强大且稳定的PNP晶体管,凭借其优异的电气特性、丰富的应用范围和方便的安装方式,成为了现代电子设计中不可或缺的重要器件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,该器件都能提供可靠的性能支持,是设计工程师值得考虑的理想选择。