制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 4.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±12V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 193pF @ 10V |
DMN3300U-7 是由 Diodes Incorporated 制造的一款 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-23 表面贴装封装。这款器件的设计满足了多种应用场景的需求,特别是在低功耗和小体积的电子设备中。其在开关电源、DC-DC 转换器、灯光调光以及电动机驱动等应用中表现出色。
DMN3300U-7 的设计理念旨在提供高效能与高可靠性的集成解决方案,适合紧凑型电路设计。小巧的SOT-23封装有助于降低PCB面积,满足高密度组装的要求。其高工作温度范围和改良的电气参数不仅提升了设备的耐久性,还确保了在严苛环境下的稳定运行。
DMN3300U-7 是一款具有出色电气性能的小型 N 通道 MOSFET,凭借其高达 2A 的连续漏电流以及 30V 的漏源电压,广泛适用于多种电子应用。其具备的优异的导通电阻和工作温度范围,确保了其在高性能需求的应用场合中的优越表现。无论是在低功率设计还是复杂的电源管理任务中,DMN3300U-7 都是理想的选择。