DMG3404L-13
DMG3404L-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 641pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 780mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG3404L-13手册
DMG3404L-13概述
DMG3404L-13 产品概述
一、产品简介
DMG3404L-13 是由美台半导体（Diodes Incorporated）制造的一款高性能N通道MOSFET。该元器件主要应用于功率管理、电源转换、开关调节器及低功耗电路中。其出色的电气特性和较高的工作温度范围使其适合于多种工业与消费类电子产品的应用。
二、关键特性
漏源电压（Vdss）: DMG3404L-13 可承受最高30V的漏源电压，适合用于需要中等电压供电的应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流达到4.2A，保证了在负载条件下的稳定性与可靠性。
导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅极驱动电压下，当漏极电流为5.8A时，最大导通电阻为25毫欧。这一低导通电阻能够有效降低功耗，提高整体效率，尤其在高频开关应用中具有重要意义。
栅阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的漏电流下，DMG3404L-13的最大栅阈值电压为2V，这意味着在较低的栅极电压下即可驱动MOSFET导通，适用于与微控制器等低电压驱动源的兼容性。
栅极电荷（Qg）: 在10V的驱动电压下，栅极电荷最大为13.2nC。较低的栅极电荷有助于实现更快的开关速度，适用于高频率的开关应用。
工作温度范围: 该元器件的工作温度范围为-55°C到150°C，使其在极端环境条件下仍能保持稳定的性能，适合于工业级和汽车电子应用。
封装类型: DMG3404L-13采用SOT-23表面贴装封装，便于焊接和安装，适用于空间受到限制的电路板设计。
三、应用领域
DMG3404L-13的广泛应用领域包括：
- 开关电源: 适用于DC-DC转换器和AC-DC电源等多种电源管理应用。
- 电机驱动: 用于驱动直流电机和步进电机的控制电路中，提供高效能和可靠性。
- 电池供电设备: 由于其低功耗特性，适合用于便携式设备及电池管理系统。
- 消费类电子: 应用于PC、音响设备和家用电器等各类电子产品中。
- 汽车电子: 在汽车电子系统中，因高耐压、高温承受性而广泛使用。
四、性能优势
DMG3404L-13以其优越的电气性能、宽广的操作温度范围以及紧凑的封装类型，为设计工程师提供了有效的解决方案。此外，其低功耗特性和优异的导通性能，有助于提高整个电路的运行效率，是现代电子设计中不可或缺的关键元件。
五、总结
综上所述，DMG3404L-13是一款高效、可靠的N通道MOSFET，适合于各种电源管理及开关应用。凭借其出色的电气特性和多样化的应用场所，该器件对于希望在设计中实现高效能和高可靠性的工程师来说，是一个理想的选择。