IPB042N10N3GATMA1
IPB042N10N3GATMA1参数
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 50A，10V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 117nC @ 10V | FET 类型 | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 功率耗散（最大值） | 214W（Tc） | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 150µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8410pF @ 50V |
IPB042N10N3GATMA1手册
IPB042N10N3GATMA1概述
产品概述：IPB042N10N3GATMA1 MOSFET
引言
IPB042N10N3GATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），封装采用 TO-263-3（D2PAK）形式。这款 MOSFET 在功率电子应用中表现出色，能够满足高电流和高电压要求，是电源管理和电机驱动等领域的理想选择。
关键参数
最大连续漏极电流（Id）: 该 MOSFET 在25°C的条件下能够承受高达100A的持续漏极电流。这一特性使得其非常适合用于需要高电流承载的应用环境。
漏源电压（Vdss）: 此器件的漏源电压为100V，能够在多种应用场合下提供足够的电压裕量，尤其适合电源转换器和电机控制等高电压场景。
功率耗散: 此 MOSFET 的最大功率耗散为214W，使得其在高功率情况下的热管理性能更为理想，能够有效防止故障。
导通电阻（Rds On）: 在Vgs为10V、Id为50A时，器件的最大导通电阻为4.2毫欧。低导通电阻意味着器件在工作时产生的热量相对较少，提高了其工作效率和安全性。
栅极驱动特性: 最大栅极电压Vgs为±20V，且最小的栅极开启电压Vgs(th)为3.5V，在150µA的漏极电流下，可以实现快速开关，同时栅极电荷Qg在10V时最大为117nC，能够适应高频驱动需求。
输入电容: 在Vds为50V时，输入电容Ciss为8410pF，这确保了该 MOSFET 的高频特性，能够满足快速开关应用的要求。
工作温度范围: IPB042N10N3GATMA1 的工作温度范围为-55°C到175°C，使得其能够在极端温度下稳定工作，适合需要经历严苛环境的工业应用。
应用领域
基于以上优越的技术参数，IPB042N10N3GATMA1 MOSFET 适用于多个应用场合，包括但不限于：
电源管理: 该器件广泛应用于电源转换器、开关模式电源（SMPS）及逆变器等领域，能提供高效的电能转换。
电动与混合动力汽车: 在电动汽车的电机驱动系统及充电装置中，该MOSFET提供可靠的性能，确保系统高效运行。
工业自动化: 在电机控制、线性驱动和自动化设备中，该MOSFET能够提高系统的整体能效，降低运行成本。
通信与消费电子: 该元件在通信基站及消费电子产品中同样适用，能够有效提升设备的可靠性。
总结
IPB042N10N3GATMA1 是一款高效率、高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性及宽广的工作温度范围，使其成为现代高功率电子设计中的重要选择。无论是用于电源管理，还是电动汽车、工业自动化等行业，IPB042N10N3GATMA1 都能提供卓越的性能，助力各类应用的顺利推进。选择优质的 MOSFET 不仅可以提升系统的能效，还能提高产品的整体竞争力。