DMG301NU-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMG301NU-13

商品编码: BM0084962549
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 320mW 25V 260mA 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.686
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.686
--
100+
¥0.473
--
500+
¥0.431
--
2500+
¥0.399
--
5000+
¥0.373
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG301NU-13参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)25V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.7V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 欧姆 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).36nC @ 4.5V
Vgs(最大值)8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)27.9pF @ 10V
功率耗散(最大值)320mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

DMG301NU-13手册

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DMG301NU-13概述

DMG301NU-13 产品概述

一、产品简介

DMG301NU-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),由美台半导体(Diodes Incorporated)公司制造。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,符合 SOT-23 的标准,适用于多种电子应用。凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围和小巧的封装设计,DMG301NU-13 是在低电压和中等电流场合下的理想选择。

二、关键特性

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):最大 25V,适合低压应用
  • 连续漏极电流(Id):最高为 260mA (在 25°C 时)
  • 最大 Rds(on) 值:4Ω @ 400mA,4.5V 驱动电压下保持较小的导通损耗
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大为 1.1V,这意味着在低电压下它即可被开启
  • 栅极电荷(Qg):最大为 0.36nC @ 4.5V,适合快速开关应用
  • 输入电容(Ciss):最大值为 27.9pF @ 10V,提供良好的频率响应
  • 功率耗散:最大 320mW(在 25°C 时),使其在高功率应用中保持可靠
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,确保其在恶劣环境下也能稳定工作
  • 封装类型:SOT-23,体积小,适合现代电子产品的空间限制

三、应用场景

DMG301NU-13 的设计使其非常适合于电源管理、开关电源、LED 驱动、电机驱动、负载开关和信号切换等多种应用。在移动设备、消费电子产品、汽车电子及工业控制领域都有广泛的应用潜力。

  1. 电源管理:可用于 DC-DC 转换器和负载开关,利用其小尺寸和优越的开关性能,能够有效地提升电源的效率,有助于延长产品的续航时间。

  2. LED 驱动:在 LED 照明应用中,DMG301NU-13 的导通电阻特性及低功耗特性,使其能够有效控制 LED 的电流,提升光源的使用寿命。

  3. 电机驱动:对于低功率电机驱动,DMG301NU-13 提供了足够的漏极电流容量和快速开关能力,适合用于小型电机驱动电路。

  4. 信号切换:该法兰适用于信号切换电路,通过其良好的频率响应A和低导通电阻能力,可实现快速可靠的信号传输。

四、总结

DMG301NU-13 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和广泛的工作温度范围,在各种低压和中等电流的应用上表现出色。无论是在电源管理、LED 驱动还是在电机控制领域,该产品都能提供高效率和高可靠性,是工程师们的理想选择。其小巧的 SOT-23 封装也使其适合现代电子产品的紧凑设计。选择DMG301NU-13,您将受益于其卓越的性能和广泛的应用适应性,为您的项目增添竞争优势。