FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 260mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.7V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .36nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 27.9pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 320mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMG301NU-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),由美台半导体(Diodes Incorporated)公司制造。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,符合 SOT-23 的标准,适用于多种电子应用。凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围和小巧的封装设计,DMG301NU-13 是在低电压和中等电流场合下的理想选择。
DMG301NU-13 的设计使其非常适合于电源管理、开关电源、LED 驱动、电机驱动、负载开关和信号切换等多种应用。在移动设备、消费电子产品、汽车电子及工业控制领域都有广泛的应用潜力。
电源管理:可用于 DC-DC 转换器和负载开关,利用其小尺寸和优越的开关性能,能够有效地提升电源的效率,有助于延长产品的续航时间。
LED 驱动:在 LED 照明应用中,DMG301NU-13 的导通电阻特性及低功耗特性,使其能够有效控制 LED 的电流,提升光源的使用寿命。
电机驱动:对于低功率电机驱动,DMG301NU-13 提供了足够的漏极电流容量和快速开关能力,适合用于小型电机驱动电路。
信号切换:该法兰适用于信号切换电路,通过其良好的频率响应A和低导通电阻能力,可实现快速可靠的信号传输。
DMG301NU-13 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和广泛的工作温度范围,在各种低压和中等电流的应用上表现出色。无论是在电源管理、LED 驱动还是在电机控制领域,该产品都能提供高效率和高可靠性,是工程师们的理想选择。其小巧的 SOT-23 封装也使其适合现代电子产品的紧凑设计。选择DMG301NU-13,您将受益于其卓越的性能和广泛的应用适应性,为您的项目增添竞争优势。