APT13005SI-G1
APT13005SI-G1参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3.2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 450V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 750mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 8 @ 2A，5V | 功率 - 最大值 | 25W |
| 频率 - 跃迁 | 4MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商器件封装 | TO-251 |
APT13005SI-G1手册
APT13005SI-G1概述
APT13005SI-G1 产品概述
APT13005SI-G1 是一款高性能 NPN 晶体管，适合用于各种电源和开关应用。该晶体管具有优秀的电气特性和广泛的工作条件，能够满足高功率和高电压需求。产品的设计考虑了不同的应用场景，使其在工业、消费电子、汽车电子等多个领域均能发挥出色的性能。
主要参数
晶体管类型: APT13005SI-G1 属于 NPN 类型的晶体管。NPN 晶体管是活跃的电子器件，能够有效放大电子信号并用于开关控制。
集电极电流 (Ic): 最大集电极电流为 3.2A，使其能够处理较大的负载电流，适合在需要高电流的应用中使用。
集射极击穿电压 (Vceo): 其最大集射极击穿电压为 450V，这使得该器件可以在高电压环境中安全工作，适用于电力电子设备和高压电源的设计。
饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的输入电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下，其饱和压降最大为 1V（当 Ic 为 750mA 和 3A 时）。较低的饱和压降可提高效率，减少能量损耗，尤其在开关应用中至关重要。
直流电流增益 (hFE): 当工作电流为 2A 时，最小直流电流增益为 8。这一参数反映了该器件的放大能力，适合对信号进行强度放大的场景。
功率: APT13005SI-G1 能够承受最大功率为 25W，这使其能够在高功率应用中有效运行而不会过热。
频率特性: 其最大跃迁频率为 4MHz，适合于高频应用，能够处理快速开关信号，适用于开关电源和调制解调器等设备。
工作温度: 该器件的工作温度范围为 -65°C 到 150°C，具备良好的温度稳定性，能够适应极端的环境条件，适用于汽车电子及航空航天等高要求行业。
安装类型: 该晶体管采用通孔安装方式，便于在不同的电路板设计中进行集成。
封装: APT13005SI-G1 采用 TO-251 封装，这种封装形式具有良好的散热性能和小型化，便于设计与组装。
应用场景
APT13005SI-G1 的广泛应用场景包括：
- 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器中作为开关元件，能够有效调节电压输出，保证设备的稳定运行。
- 功率放大器: 由于其高电流增益，适合用于扬声器驱动、电机控制等要求高信号放大的应用。
- 汽车电子: 可用于电动汽车的驱动系统和控制模块，实现高效的电能管理和转换。
- 制冷与空调控制: 在这些系统中作为开关元件，实现精确的温控与环境调节。
总结
APT13005SI-G1 NPN 晶体管凭借其高效能、高功率、高稳定性等优良性能，成为市场上受欢迎的选择之一。其适用于多种应用场景，特别是在高压、大电流和高功率的环境中，展现出极佳的工作能力。作为 DIODES 公司的产品，APT13005SI-G1 也承载了卓越的制造工艺与高度的可靠性，充分满足现代电子设备不断增长的需求。