FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A(Tc),15A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 7A,10V,25 毫欧 @ 7A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.5nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1184pF @ 15V,1188pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 900mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
产品简介
DMC3016LDV-7 是一款高性能的互补型场效应晶体管(MOSFET),由DIODES(美台)公司制造,专为高效能电子设备设计。其采用的PowerDI3333-8封装形式,使其在节省空间的同时,具备非常高的散热性能与电气性能。这款MOSFET包含1个N沟道晶体管和1个P沟道晶体管,非常适合用于各种高电流应用,能够高效地满足多种电子电路的需求。
主要规格
应用场景
DMC3016LDV-7 的出色性能使其非常适合应用于以下场景:
总结
DMC3016LDV-7 以其紧凑的封装设计和出色的电气性能,成为各种应用场景下理想的选择。它的低导通电阻、高电流承受能力及广泛的工作温度范围,使得它在现代电子设计中具有极强的竞争力。无论是在高频开关、电源管理还是在电动汽车和家电产品的应用中,该MOSFET都能提供稳定和高效的性能表现。