DMC3016LDV-7 产品实物图片
DMC3016LDV-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMC3016LDV-7

商品编码: BM0084962543
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 900mW 30V 21A;15A 1个N沟道+1个P沟道 PowerDI3333-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.9
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.9
--
50+
¥1.58
--
1000+
¥1.47
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC3016LDV-7参数

FET 类型N 和 P 沟道互补型FET 功能标准
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Tc),15A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 7A,10V,25 毫欧 @ 7A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)9.5nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1184pF @ 15V,1188pF @ 15V
功率 - 最大值900mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8

DMC3016LDV-7手册

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DMC3016LDV-7概述

DMC3016LDV-7 产品概述

产品简介

DMC3016LDV-7 是一款高性能的互补型场效应晶体管(MOSFET),由DIODES(美台)公司制造,专为高效能电子设备设计。其采用的PowerDI3333-8封装形式,使其在节省空间的同时,具备非常高的散热性能与电气性能。这款MOSFET包含1个N沟道晶体管和1个P沟道晶体管,非常适合用于各种高电流应用,能够高效地满足多种电子电路的需求。

主要规格

  • FET 类型:DMC3016LDV-7采用N和P沟道互补型结构,允许在同一封装内实现电路的高效切换与功率管理。
  • 最大漏源电压(Vdss):30V,这使得该MOSFET能够在中低压应用中表现出色,适合用于电池供电的便携设备、开关电源等。
  • 连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,可承受21A(Tc)或15A(Tc)的连续电流,表明其在严苛条件下的良好导电能力。
  • 导通电阻(Rds(on)):在不同操作条件下,该器件的导通电阻分别为12毫欧(@7A, 10V)和25毫欧(@7A, 10V),优越的导通性能能够有效降低系统的功率损耗。
  • 阈值电压(Vgs(th)):在不同 Id 的情况下,最大阈值电压为2.4V(@250µA),使得其在驾驶信号下具有良好的开关特性。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为9.5nC(@4.5V),较低的驱动电荷有助于提高开关速度,适合高频开关应用。
  • 输入电容(Ciss):在15V下,输入电容为1184pF,表明高频应用下的良好响应能力。
  • 功率最大值:该器件的最高功率可达到900mW(在环境温度下),适合多种负载条件和散热要求。
  • 工作温度范围:-55°C到150°C,极宽的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定工作,适合多种工业和汽车应用。

应用场景

DMC3016LDV-7 的出色性能使其非常适合应用于以下场景:

  1. 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器中使用,以实现高效的电源供应和功率转换。
  2. 电动汽车:能够满足电动汽车中高电流和高效能的需求,尤其是在电池管理和电机驱动中。
  3. 消费电子:广泛应用于各种消费电子设备如智能手机、平板电脑等,提升电池使用效率与设备性能。
  4. 工业控制:适用于工业自动化中的驱动和控制电路,具备很高的耐受性和稳定性。
  5. 家电产品:如洗衣机、冰箱等,利用其高效的开关性能,实现节能效果。

总结

DMC3016LDV-7 以其紧凑的封装设计和出色的电气性能,成为各种应用场景下理想的选择。它的低导通电阻、高电流承受能力及广泛的工作温度范围,使得它在现代电子设计中具有极强的竞争力。无论是在高频开关、电源管理还是在电动汽车和家电产品的应用中,该MOSFET都能提供稳定和高效的性能表现。