DDTC142TE-7-F
DDTC142TE-7-F参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 Ohms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTC142TE-7-F手册
DDTC142TE-7-F概述
产品概述：DDTC142TE-7-F
一、基本信息
DDTC142TE-7-F 是一款由 DIODES（美台）制造的高性能 NPN 双极性晶体管（BJT），采用SOT-523表面贴装封装方式。该产品专门设计用于多种电子电路中的信号放大和开关应用，广泛适用于消费电子、通信设备以及其他各种电子产品。
二、技术参数
晶体管类型：此产品为 NPN 类型晶体管，属于预偏压设计。这种类型的晶体管在许多电子电路中得到广泛应用，特别是在需要直接连接到低电位电源的应用中。
电流 - 集电极 (Ic)：该晶体管的最大集电极电流为 100mA，能够处理相对较高的电流并适用于多数低功耗电路。
电压 - 集射极击穿 (Vce)：在最大情况下，其集射极击穿电压为 50V，意味着它可以在较高的电压条件下安全工作，适合与供电电压在一定范围内的电路兼容。
直流电流增益 (hFE)：在1mA、5V的操作条件下，DDTC142TE-7-F 的直流电流增益（hFE）的最小值为 100。高增益特性使得该晶体管能够在低输入电流下实现高输出电流，是模仿和开关电路中理想的选择。
Vce 饱和压降：在250µA和5mA的电流条件下，该晶体管的Vce饱和压降最大为 300mV，表明在工作于饱和区时电压损耗较小，提高了电路的能效。
集电极截止电流（ICBO）：该晶体管的最大集电极截止电流为 500nA，意味着其在关闭状态下几乎无漏电流，减少了静态功耗。
频率 - 跃迁：DDTC142TE-7-F 的频率特性为 200MHz，表明其适用于高速开关和高频信号放大应用。
功率 - 最大值：最大功率承载能力为 150mW，适合多种低功耗应用场合。
封装：采用 SOT-523 表面贴装型封装，占用空间小，便于集成于各种紧凑型电路设计中，提升PCB设计的灵活性。
三、应用场景
DDTC142TE-7-F 的特性使其适用于众多场景，具体包括：
开关电路：可以在自动控制和其他开关电路中使用，作为信号放大到用于驱动负载的开关元件。
放大器：由于其较高的电流增益，该晶体管适合用于音频和其他需要信号放大的应用中。
RF 应用：高频特性使得 DDTC142TE-7-F 能够在射频（RF）和其他高速信号处理电路中得到有效提升。
消费电子：如智能手机、计算机及其他智能设备中的小型功放电路均可使用此产品，以实现更高的集成度和更小的尺寸。
通信设备：可用于电话、无线电和其他通信设备，在信号放大和转换中发挥重要作用。
四、总结
DDTC142TE-7-F 是一款性能优越的 NPN 晶体管，凭借其优秀的技术参数和广泛的应用潜力，成为电子工程师在设计电路时的理想选择。通过在小型化设计中使用 SOT-523 封装，它能够有效缩小产品尺寸，提高组件密度，同时保持优良的电气性能，促进现代电子产品的高效发展。无论是在零件选择还是电路设计中，DDTC142TE-7-F 都展示了其独特的价值与优势。