DDTB133HC-7-F
DDTB133HC-7-F参数
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 3.3 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTB133HC-7-F手册
DDTB133HC-7-F概述
产品概述：DDTB133HC-7-F
一、基本信息
DDTB133HC-7-F是一款高性能的PNP型晶体管，具有预偏压特性，适用于多种电子电路应用。这款晶体管由知名的DIODES（美台）公司制造，采用常见的SOT-23封装，适合于表面贴装 (SMD) 的应用。在现代电子设计中，其广泛应用于信号放大、开关控制及其他高频电路中。
二、电气特性
DDTB133HC-7-F的关键电气特性如下：
集电极电流 (Ic)：该器件的最大集电极电流为500mA，意味着它能够在一定条件下承受较高的负载电流，这使其非常适合用于电源开关和驱动电路。
集射极击穿电压 (Vce)：最大电压为50V，足以满足大多数中低电压应用的需求。同时，它的集电极截止电流不超过500nA，显示出其优良的关态特性，适合用于功率管理和节能电路。
DC电流增益 (hFE)：在不同的集电极电流 (Ic) 和集射极电压 (Vce) 下，DDTB133HC-7-F的DC电流增益 (hFE) 在50mA和5V时的最低值为56，显示出优良的放大能力，适合用于各种放大电路。
饱和压降 (Vce(sat))：在2.5mA和50mA时最大饱和压降为300mV，这在开关应用中可确保较小的功耗损失，提高整体电路效率。
频率特性：DDTB133HC-7-F的跃迁频率为200MHz，适合高频应用，并确保高频信号的稳定传输。
功率额定：该器件的最大功耗为200mW，表明在合适的散热条件下，可以稳定工作，适用于多种功率管理应用。
三、应用场景
DDTB133HC-7-F的设计使其非常适合于多种应用环境，包括但不限于：
开关电路：利用其优良的饱和特性，DDTB133HC-7-F可以作为高效的开关控制器，被广泛应用于小型马达驱动、电源开关电路中。
信号放大：凭借其DC电流增益特性，该晶体管还能在低功耗需求中提供可靠的信号放大，常用于音频放大器、RF放大器和其他信号处理电路。
LED驱动：DDTB133HC-7-F的高集电极电流承载能力使其适合用于LED驱动电路，提高光源的驱动效率和可靠性。
高频应用：由于其较高的跃迁频率，它也非常适合用于电视、无线通信设备等中高频应用，能够保障信号传输的准确性和稳定性。
四、封装及安装
DDTB133HC-7-F采用SOT-23-3封装，尺寸小巧、重量轻，便于自动化贴片及批量生产。其表面贴装设计使其能够与现代PCB设计相兼容，进一步满足小型化及高密度的电路需求。
五、总结
DDTB133HC-7-F是一个高效、可靠的PNP型晶体管，凭借其多种优越的电气特性和广泛的应用场景，适合用于各种电子产品和设备中。作为DIODES（美台）公司的产品，其可靠的性能和高质量标准为设计师提供了稳定的解决方案，是电子设计师优先考虑的元器件之一。无论是在各种开关电路、信号放大应用还是高频通信设备中，DDTB133HC-7-F都能展现出出色的性能，有助于推动现代电子电路的进一步发展和创新。