BZT52C2V7TQ-7-F
BZT52C2V7TQ-7-F参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 2.7V | 容差 | ±7.41% |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 100 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 20µA @ 1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 | 供应商器件封装 | SOD-523 |
BZT52C2V7TQ-7-F手册
BZT52C2V7TQ-7-F概述
产品概述：BZT52C2V7TQ-7-F 齐纳二极管
一、基本信息
BZT52C2V7TQ-7-F 是美台 DIODES 公司生产的一款表面贴装型齐纳二极管，具有2.7V的标称齐纳电压。它主要用于电压稳压和过压保护等应用，以确保电路的正常工作。由于其低电压及高稳定性，该器件广泛适用于电子产品的电源管理、信号调节及抑制瞬态过压等场合。
二、产品特点
标称齐纳电压（Vz）: 2.7V，通过对电路的限制，防止电压超出设定水平，从而保护电路中敏感元件。
容差: ±7.41%，使得该器件在实际应用中可以灵活应对不同的电压需求，提供一定范围内的电压稳压效果。
功率最大值: 300mW，这使得 BZT52C2V7TQ-7-F 能够处理相对较高的功率应用，且在保守使用时能有较长的使用寿命，适合多种使用场景。
阻抗（Zzt）: 100 Ohms，较低的阻抗值能够帮助器件在快速瞬态情况下，表现出良好的电压钳位特性，增加了电路的稳定性和可靠性。
反向泄漏电流: 在1V下的反向泄漏电流仅为20µA，显示出该器件在偏置条件下的低功耗特性。
正向电压（Vf）: 在10mA的电流下，正向电压为900mV，符合大部分低功耗设计的需求，可以有效降低电源的工作电压。
工作温度范围: -65°C 至 150°C（TJ），使得该产品可适应于多种环境条件，特别适合高可靠性和苛刻环境的应用场合。
封装与安装类型: SOD-523封装，表面贴装型设计，适合于自动化的贴片加工，节省了生产成本。同时其小巧的体积也方便在空间受限的电路中使用。
三、应用领域
BZT52C2V7TQ-7-F 齐纳二极管适用的领域极广，包括但不限于：
电源管理: 常用于稳压电源和简单的电源保护电路，能够防止供电电源电压的瞬时波动对下游电路造成损害。
信号保护: 在信号线路中使用，可以有效防止信号过压损坏敏感的接收器件，保护数据传输的可靠性。
过压保护: 在关键的电子设备中，作为过压保护元件，确保电路在异常情况下不会遭受损坏。
消费电子: 适合在手机、平板电脑、家用电器等消费电子产品中，作为标准的电压保护装置使用。
四、总结
BZT52C2V7TQ-7-F 齐纳二极管以其优良的电压稳压性能、广泛的应用领域及卓越的温度适应能力，成为电子设计师在电压保护和电源管理中不可或缺的元器件之一。凭借高功率处理能力、低反向泄漏电流及小巧的封装形式，为现代电子产品提供了良好的性能保障。无论是在高频电路还是低功耗应用中，BZT52C2V7TQ-7-F 都能够展示出其超凡的品质和可靠性。
在选择电压稳压器或保护元件时，推荐考虑采用 BZT52C2V7TQ-7-F 作为解决方案，它将为您的设计带来多重优势，确保电路系统更加稳定、可靠。