DDTD114GU-7-F 产品实物图片
DDTD114GU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD114GU-7-F

商品编码: BM0084960768
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD114GU-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

DDTD114GU-7-F手册

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DDTD114GU-7-F概述

DDTD114GU-7-F 产品概述

一、产品简介

DTD114GU-7-F 是一款高性能的 NPN 型晶体管,采用表面贴装型 SOT-323 封装,专为各种低功耗电子应用设计。该器件以其优良的电气性能和可靠的工作参数,广泛应用于开关电路、信号放大和调制解调器等多种电子设备中。

二、基本参数和性能

  1. 晶体管类型:NPN - 预偏压

    • DTD114GU-7-F 作为 NPN 晶体管,具有良好的电流放大能力,适用于各种电子电路中。
  2. 电流 - 集电极 (Ic)

    • 最大输出电流为 500mA,适合需要中等电流驱动的应用场景。
  3. 电压 - 集射极击穿(Vceo)

    • 最大额定电压为 50V,确保该器件能够在相对高电压的条件下稳定工作。
  4. 电流 - 集电极截止(ICBO)

    • 在集电极-发射极无信号条件下,集电极漏电流最大仅为 500nA,展示出良好的截止特性,适合低功耗应用。
  5. 电阻器 - 发射极 (R2)

    • 发射极电阻为 10 kOhms,有助于稳定工作点并提高线性放大性能。
  6. DC 电流增益 (hFE)

    • 在 5mA 的基极电流和 5V 的集电极电压下,最小增益为 56,能够满足各种增益需求。
  7. 饱和压降 (Vce(sat))

    • 在基极电流 2.5mA 和集电极电流 50mA 时,最大饱和压降为 300mV。较低的饱和压降有助于提高开关效率,降低功耗。
  8. 频率 - 跃迁

    • 最大工作频率可达到 200MHz,适合用于高速开关和高频放大应用。
  9. 功率 - 最大值

    • 该晶体管的最大功耗为 200mW,能够满足大部分低功耗电路的要求。

三、应用领域

DTD114GU-7-F 的特性使其在以下领域中表现出色:

  • 音频放大器:由于其高增益特性,该晶体管可用于音频信号的放大。
  • 射频应用:在高频率工作条件下,提供良好的信号放大效果。
  • 开关电路:适用于驱动小功率负载的开关电路,实现高效控制。
  • 传感器电路:在传感器接口中,常用于信号处理和放大。
  • 通讯设备:用于处理调制解调信号,适合各种低功耗通讯设备。

四、安装与兼容性

DTD114GU-7-F 以 SOT-323 封装形式提供,适合自动化贴装工艺,能够轻松集成到现代电路板设计中。在设计时,应考虑其热管理和散热需求,以确保最佳性能和可靠性。

五、总结

总的来说,DTD114GU-7-F 是一款高效能、低功耗的 NPN 晶体管,适用于要求高电流增益和良好频率响应的多种电子应用。凭借其小巧的 SOT-323 封装和良好的电气性能,它能够为设计工程师提供灵活性以及可靠的解决方案。在优化电路设计时,选择 DDTD114GU-7-F 可显著提升产品性能与效率,是各种电子设备开发的理想选择。