晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTB114EU-7-F 是由美台半导体公司(DIODES)推出的一款高性能 PNP 型晶体管,专为广泛的电子应用而设计。这款晶体管结合了高增益、较宽的电压和电流范围,使其成为各类电路设计的理想选择。其主要应用场景包括音频放大器、开关电源、模拟信号处理及其他需要精准电流控制的电路。
DDTB114EU-7-F 的设计使其适用于多个领域,如:
DDTB114EU-7-F 的设计与制造遵循高标准,确保产品在性能、可靠性和耐用性方面的优越表现。其超低的静态功耗和高增益特性使其容易满足各种不同电路的需求,尤其是在便携式设备和低功耗电子产品中表现突出。良好的频率响应能力则保证了在对信号速度要求较高的应用中的有效实施。
作为一款优质的 PNP 晶体管,DDTB114EU-7-F 不仅在规范参数上表现优异,其应用灵活性和适应性使其成为设计工程师进行各种电子产品设计中的热门选择。在电子行业领域中,对于设计师来说,选择合适的元器件是提升产品竞争力的关键,而 DDTB114EU-7-F 通过其高性能和广泛的应用范围,毫无疑问是这一目标的重要助力。