DDTB114EU-7-F 产品实物图片
DDTB114EU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB114EU-7-F

商品编码: BM0084960766
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB114EU-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTB114EU-7-F手册

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DDTB114EU-7-F概述

DDTB114EU-7-F 产品概述

产品简介

DDTB114EU-7-F 是由美台半导体公司(DIODES)推出的一款高性能 PNP 型晶体管,专为广泛的电子应用而设计。这款晶体管结合了高增益、较宽的电压和电流范围,使其成为各类电路设计的理想选择。其主要应用场景包括音频放大器、开关电源、模拟信号处理及其他需要精准电流控制的电路。

关键参数

  • 晶体管类型: PNP - 预偏压。PNP 类型晶体管通常用于电流放大和开关操作,其工作方式与 NPN 型相对,并在需要高侧负载驱动时表现突出。
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA,能够满足大多数小型和中型功率电路的需求。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V,适用于中等电压的应用,能够有效防止由于过电压导致的损害。
  • 基极电阻 (R1): 10 kΩ与发射极电阻 (R2) 10 kΩ 的组合配置提供了适当的偏置场景,有效支撑其工作状态。
  • DC 电流增益 (hFE): 在 Ic 为 50mA 和 Vce 为 5V 时,最小值为 56,确保在正常操作中有足够的增益,提升了信号放大能力。
  • 最大 Vce 饱和压降: 300mV,这一特性在开关操作时能有效降低功耗。
  • 截止电流 (Ic cutoff): 500nA,极低的截止电流有助于降低静态功耗,特别适合便携式和低功耗设备。
  • 跃迁频率: 200MHz,提供了对高频应用的支持,可适应多种信号处理需求。
  • 最大功率: 在工作条件下,晶体管的功率损耗不得超过 200mW,这使得其可在良好的散热条件下稳定运行。
  • 封装类型: 表面贴装型,采用 SOT-323 封装,允许高密度的印刷电路板设计,适用于小型化项目需求。

应用场景

DDTB114EU-7-F 的设计使其适用于多个领域,如:

  • 音频放大器: 在音频信号处理中,优良的增益特性和低饱和压降使其成为音频放大的理想选择。
  • 开关电源: 可用于高效能开关电源中,利用它的快速开关特性来提高整体电源的效率。
  • 射频放大器: 得益于其较高的跃迁频率,DDTB114EU-7-F 也适合用作射频信号放大。
  • 小型驱动电路: 可以用于控制小型负载,如继电器和LED等,发挥其开关能力。
  • 模拟信号处理: 其高增益和线性特性使得该晶体管在模拟信号处理电路中表现优异。

性能优势

DDTB114EU-7-F 的设计与制造遵循高标准,确保产品在性能、可靠性和耐用性方面的优越表现。其超低的静态功耗和高增益特性使其容易满足各种不同电路的需求,尤其是在便携式设备和低功耗电子产品中表现突出。良好的频率响应能力则保证了在对信号速度要求较高的应用中的有效实施。

结语

作为一款优质的 PNP 晶体管,DDTB114EU-7-F 不仅在规范参数上表现优异,其应用灵活性和适应性使其成为设计工程师进行各种电子产品设计中的热门选择。在电子行业领域中,对于设计师来说,选择合适的元器件是提升产品竞争力的关键,而 DDTB114EU-7-F 通过其高性能和广泛的应用范围,毫无疑问是这一目标的重要助力。