晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 Ohms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTB142TC-7-F 是一款高性能的数字晶体管,采用 SOT-23-3 表面贴装封装,专为广泛的电子应用而设计,特别适用于高频开关电路和信号放大。该晶体管的核心特性使其成为各种电子设备中理想的选择,满足了当今技术不断发展的需求。
晶体管类型: DDTB142TC-7-F 是一种 PNP 预偏置晶体管,适用于负极性电源配置。这种设计能有效减少开关延迟,为高速应用提供支持。
电流和电压规格:
直流电流增益(hFE): 本产品在5mA的基极电流和5V的电压条件下,提供最小的 DC 电流增益为100。这意味着在基极信号输入较小时,能够有效放大输出信号,从而增强信号的处理能力。
饱和压降: 在2.5mA的基极电流和50mA的集电极电流条件下,其最大饱和压降为300mV。这反映了其在工作的有效性,降低了功耗损失,并提高了系统的整体效率。
集电极截止电流: 最大集电极截止电流(ICBO)为500nA,展示了其良好的开关特性和低泄漏电流,适用于对功耗敏感的应用。
动态性能: DDTB142TC-7-F的频率跃迁高达200MHz,这使得其能够适用于高速开关应用,如开关电源、射频放大器及数字信号处理电路,满足现代电路对频率和响应时间的苛刻要求。
功率规格: 该晶体管的最大功率额定为200mW,适合大多数小型电子设备中的信号调节和功率开关应用。
DDTB142TC-7-F 采用了 SOT-23-3 封装。这种紧凑的表面贴装设计使得在密集电路板布置中容易集成,同时也有助于改善热管理特性。表面贴装型器件被广泛应用于消费电子、通信设备及其他现代电子产品中,提供了小型化和高效能的优势。
DDTB142TC-7-F 可广泛用于多种电子应用,尤其是:
DDTB142TC-7-F 是一款具有出色performance和高集成度的 PNP 数字晶体管,满足现代电子工程师对高效、可靠和小型化元器件的需求。凭借其优越的技术规格和灵活性,无论是在消费电子、汽车电子、还是工业控制领域,DDTB142TC-7-F都能够彰显出其卓越的性能和广泛的适用性。对于寻求在设计中使用优秀性能晶体管的工程师来说,DDTB142TC-7-F 是一个值得考虑的重要选项。