晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 220 Ohms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 47 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTD122JU-7-F是一款高性能的NPN型晶体管,采用前沿的表面贴装技术(SMT)封装,具有优异的电气特性和广泛的应用场景。作为由DIODES(美台)品牌出品的产品,该晶体管在电路设计中提供了高效的开关和放大功能,并以其稳定性和可靠性赢得了众多工程师的青睐。
高电流处理能力: DDTD122JU-7-F能够承受高达500mA的集电极电流,适合于驱动负载较大的应用。其大电流特性使得它在各类电源电路、信号放大器和输出级中均可表现出色。
有效的电压控制: 该晶体管的最大集射极击穿电压为50V,意味着它可以在较高电压下运行,适用于各类家用电器、便携式设备以及工业控制电路。
低饱和压降: DDTD122JU-7-F在工作时的饱和压降相对较低(最大300mV),这表明其在开关操作中能够保持较高的效率,减少功耗,特别适合电池供电设备的应用。
高频性能: 拥有200MHz的跃迁频率使得该晶体管能够用于高速开关和信号处理的应用场景,适应现代科技发展的需求,特别是数字电路和无线通讯中至关重要。
增强的集成度: 表面贴装型的封装不仅减小了PCB板的占用空间,还提高了整体电路的集成度,有助于实现更小型化的电子产品设计。
DDTD122JU-7-F以其出色的性能参数和广泛的应用范围,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。其高电流处理能力、优异的电压控制特性以及高频性能,使其不仅适用于普通的信号处理,还可广泛应用于各类高技术产品。随着科技的不断进步,这款NPN型晶体管将继续在电子产品领域中发挥重要的作用。