DDTD122JU-7-F 产品实物图片
DDTD122JU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD122JU-7-F

商品编码: BM0084960468
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD122JU-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)47 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTD122JU-7-F手册

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DDTD122JU-7-F概述

产品概述:DDTD122JU-7-F

一、产品简介

DDTD122JU-7-F是一款高性能的NPN型晶体管,采用前沿的表面贴装技术(SMT)封装,具有优异的电气特性和广泛的应用场景。作为由DIODES(美台)品牌出品的产品,该晶体管在电路设计中提供了高效的开关和放大功能,并以其稳定性和可靠性赢得了众多工程师的青睐。

二、基本参数

  • 晶体管类型:NPN(预偏压)
  • 集电极电流(Ic)最大值:500mA
  • 集射极击穿电压(Vce(最大值):50V
  • 基极电阻(R1):220 Ohms
  • 发射极电阻(R2):4.7 kOhms
  • 直流电流增益(hFE):在50mA和5V条件下,最小值为47。
  • 饱和压降(Vce(饱和)):最大值为300mV(在2.5mA的Ib和50mA的Ic时)。
  • 集电极截止电流最大值:500nA
  • 频率(跃迁频率):高达200MHz
  • 最大功率:200mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装类型:SC-70、SOT-323

三、性能特点

  1. 高电流处理能力: DDTD122JU-7-F能够承受高达500mA的集电极电流,适合于驱动负载较大的应用。其大电流特性使得它在各类电源电路、信号放大器和输出级中均可表现出色。

  2. 有效的电压控制: 该晶体管的最大集射极击穿电压为50V,意味着它可以在较高电压下运行,适用于各类家用电器、便携式设备以及工业控制电路。

  3. 低饱和压降: DDTD122JU-7-F在工作时的饱和压降相对较低(最大300mV),这表明其在开关操作中能够保持较高的效率,减少功耗,特别适合电池供电设备的应用。

  4. 高频性能: 拥有200MHz的跃迁频率使得该晶体管能够用于高速开关和信号处理的应用场景,适应现代科技发展的需求,特别是数字电路和无线通讯中至关重要。

  5. 增强的集成度: 表面贴装型的封装不仅减小了PCB板的占用空间,还提高了整体电路的集成度,有助于实现更小型化的电子产品设计。

四、应用场景

  1. 信号放大:适用于音频放大器、射频放大器等需要提升信号强度的电路。
  2. 开关电路:在自动控制系统中,DDTD122JU-7-F可用于开关控制,适合用于电源管理和实现各类驱动功能。
  3. 电源供给:可作为电源稳压电路的一部分,帮助稳定输出电压,满足微处理器及其他精密设备的电力需求。
  4. 无线通讯:由于其高频特性,DDTD122JU-7-F在无线通讯、数据传输等应用中,无疑是个理想的选择,确保信号的清晰和稳定。

五、总结

DDTD122JU-7-F以其出色的性能参数和广泛的应用范围,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。其高电流处理能力、优异的电压控制特性以及高频性能,使其不仅适用于普通的信号处理,还可广泛应用于各类高技术产品。随着科技的不断进步,这款NPN型晶体管将继续在电子产品领域中发挥重要的作用。