晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 1 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTB113EU-7-F 是一款高性能的PNP型数字晶体管,具有预偏压设计,适用于多种数字和模拟电子电路的应用。该产品由美台半导体(DIODES)提供,采用广泛使用的SOT-323 (SC-70)封装类型,能够适应现代小型化和表面贴装技术的需求。它的集电极最大电流可达500mA,集射极击穿电压为50V,使其在多种应用中表现出色,特别是低功耗、低电压和小型电路设计。
高电流增益:DDTB113EU-7-F 在正常工作条件下可提供最低33的直流电流增益,使其在信号放大和开关应用中表现良好。
低饱和压降:300mV的饱和压降确保了在满足负载电流条件下的高效能,尤其适合需要高效率的低电压环境。
快速响应:200MHz的跃迁频率使得该晶体管非常适合高频应用。在数字电路中,可以有效地控制大电流,减少开关时间,提高电路的整体速度。
低功耗:设计时考虑到低功耗特性,最大功率为200mW,使得DDTB113EU-7-F非常适合对能耗敏感的应用,能够延长移动设备的电池使用寿命。
DDTB113EU-7-F广泛应用于多个领域,包括但不限于:
DDTB113EU-7-F采用SOT-323封装,体积小巧,非常适合表面贴装(SMT)技术。该封装方式确保了晶体管能够轻松集成入PCB设计中,同时能够在空间有限的环境中灵活应用。
DDTB113EU-7-F 是一款具有多种优越性能的PNP数字晶体管,可以在多种应用中发挥关键作用。其高电流承受能力、优越的功率特性及快速响应使其成为电子设计师在高频和低功耗工程应用中可靠的选择。无论在消费电子、音频设备还是电机控制方面,该产品均能提供有效的解决方案,有助于推动现代电子产品的创新和发展。