DDTB113EU-7-F 产品实物图片
DDTB113EU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB113EU-7-F

商品编码: BM0084960465
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.12g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 SOT-323(SC-70)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB113EU-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)1 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)33 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTB113EU-7-F手册

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DDTB113EU-7-F概述

DDTB113EU-7-F 产品概述

概述

DDTB113EU-7-F 是一款高性能的PNP型数字晶体管,具有预偏压设计,适用于多种数字和模拟电子电路的应用。该产品由美台半导体(DIODES)提供,采用广泛使用的SOT-323 (SC-70)封装类型,能够适应现代小型化和表面贴装技术的需求。它的集电极最大电流可达500mA,集射极击穿电压为50V,使其在多种应用中表现出色,特别是低功耗、低电压和小型电路设计。

主要参数

  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 集电极电流 (Ic):最大500mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大50V
  • 基极电阻 (R1):1 kΩ
  • 发射极电阻 (R2):1 kΩ
  • 直流电流增益 (hFE):在50mA和5V时,最小33
  • 饱和压降 (Vce):在2.5mA和50mA时,最大300mV
  • 集电极截止电流:最大500nA
  • 频率响应:跃迁频率为200MHz
  • 功率最大值:200mW
  • 封装类型:SOT-323 (SC-70)

性能特性

  1. 高电流增益:DDTB113EU-7-F 在正常工作条件下可提供最低33的直流电流增益,使其在信号放大和开关应用中表现良好。

  2. 低饱和压降:300mV的饱和压降确保了在满足负载电流条件下的高效能,尤其适合需要高效率的低电压环境。

  3. 快速响应:200MHz的跃迁频率使得该晶体管非常适合高频应用。在数字电路中,可以有效地控制大电流,减少开关时间,提高电路的整体速度。

  4. 低功耗:设计时考虑到低功耗特性,最大功率为200mW,使得DDTB113EU-7-F非常适合对能耗敏感的应用,能够延长移动设备的电池使用寿命。

应用场景

DDTB113EU-7-F广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:以低功耗设计,在电源管理电子设备中高效实现开和关操作。
  • 音频放大器:由于其高增益特性,可以作为音频信号的放大器,确保清晰且强劲的音频输出。
  • 电机驱动:能承受500mA的电流,在电机控制及驱动电路中表现出色。
  • 信号开关:适用于信号路由和选择电路,尤其是在可编程逻辑控制中。
  • 消费电子:如手机、平板电脑及其他嵌入式系统,可实现小型化和高效能的设计要求。

封装及安装

DDTB113EU-7-F采用SOT-323封装,体积小巧,非常适合表面贴装(SMT)技术。该封装方式确保了晶体管能够轻松集成入PCB设计中,同时能够在空间有限的环境中灵活应用。

总结

DDTB113EU-7-F 是一款具有多种优越性能的PNP数字晶体管,可以在多种应用中发挥关键作用。其高电流承受能力、优越的功率特性及快速响应使其成为电子设计师在高频和低功耗工程应用中可靠的选择。无论在消费电子、音频设备还是电机控制方面,该产品均能提供有效的解决方案,有助于推动现代电子产品的创新和发展。