制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 220 欧姆 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
基本产品编号 | DDA122 |
DDA122LU-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能双 PNP 预偏压式晶体管,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要低功耗和高频率响应的场合。其设计不仅注重系统的紧凑性,同时也确保在多种应用中能够提供稳健且高效的性能。
晶体管类型:DDA122LU-7-F 是一种双 PNP(正负型)晶体管,允许微小的控制电流在较高的电流下实现开关操作,适用于信号放大和开关电源的应用。
电流和电压规格:
增益特性:
饱和压降:在最大 250µA 和 5mA 的饱和状态下,Vce 饱和压降为300mV,保证了在低功耗应用中的高效性能,同时降低了功耗。
截止电流:最大集电极截止电流为 500nA,显著降低了静态功耗,尤其适合于需要高精度和低功耗的应用场景。
高频响应:DDA122LU-7-F 支持高达200MHz的跃迁频率,确保了在高频应用中的信号完整性,适合于RF(射频)电路设计。
功率处理能力:该器件的最大功率为200mW,能够满足大多数小型和中型电子应用的需求。
封装与安装:DDA122LU-7-F 采用SOT-363 (6-TSSOP) 表面贴装型封装,适用于自动化表面贴装过程,极大地缩减了PCB(印刷电路板)的空间占用,非常适合于现代小型化电路设计的需求。
环境耐受性:作为一款经过严格测试的产品,DDA122LU-7-F 符合 RoHS 标准,确保在环保应用中具有良好的兼容性。
DDA122LU-7-F 由于其卓越的电气性能和紧凑的封装设计,在以下领域中得到了广泛应用:
总的来说,DDA122LU-7-F 是一款性能卓越、应用广泛的晶体管,凭借其独特的设计和优良的电气特性,成为现代电子设计中的关键组件之一。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备领域,DDA122LU-7-F 都能够提供所需的灵活性和可靠性,是工程师和设计师值得依赖的选择。