DDTB114TC-7-F 产品实物图片
DDTB114TC-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB114TC-7-F

商品编码: BM0084960463
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.329
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.329
--
150+
¥0.235
--
1500+
¥0.199
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB114TC-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

DDTB114TC-7-F手册

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DDTB114TC-7-F概述

DDTB114TC-7-F 产品概述

1. 产品介绍

DDTB114TC-7-F是一款高性能的PNP型预偏压晶体管,具有适用于各种电子电路的优越特性。其设计旨在满足电子设备中对高频率、高电流和低功耗的需求,广泛应用于开关电源、音频放大、信号放大及其他需要电子开关的场景。

2. 基础参数

该晶体管的主要电气参数包括:

  • 最大集电极电流(Ic): 500mA,可支持较高电流的应用,适合用于驱动负载的场合。
  • 集射极击穿电压(Vce): 最高可达50V,使其在高压应用中表现出良好的稳定性和安全性。
  • 基极电阻(R1): 通常推荐使用10 kOhms的电阻,这有助于保证晶体管在工作中的稳定性,避免误触发。

3. 性能特点

  • DC电流增益(hFE): 在5mA的基极电流和5V的条件下,hFE的最小值可达100,这使得该晶体管在放大电流时表现出良好的线性特性。高增益特性使得使用较小的输入信号即可获得较大的输出功率。

  • 饱和压降: 此款晶体管在工作中表现出低饱和压降,其最大值仅为300mV(在2.5mA基极电流及50mA集电极电流条件下),这有助于提高整体电路效率,降低功耗。

  • 集电极截止电流: DDTB114TC-7-F的最大集电极截止电流为500nA(ICBO),意味着在开关未导通时,漏电流非常小,有助于提高产品的可靠性和降低待机功耗。

  • 跃迁频率: 其频率响应达到200MHz,适合于高速处理信号的应用场景,确保了在高频应用中,信号的完整性和有效传输。

4. 封装与安装

DDTB114TC-7-F采用表面贴装技术(SMD),封装类型为SOT-23,封装尺寸小巧,适合现代电子设备的小型化设计。SOT-23封装提供良好的散热特性,有助于提升其在高功率工作下的稳定性。

5. 应用场景

基于其优越的电气特性,DDTB114TC-7-F可广泛应用于以下几个领域:

  • 开关电源: 在电源管理和转换电路中,作为开关元件使用,提高电源转换效率。
  • 音频放大器: 其线性增益特性借助于音频信号的放大,输出优质音频。
  • 信号处理和放大: 用于信号的处理和放大电路中,有效提升微弱信号。
  • 传感器接口: 作为放大器和开关元件,能够有效处理来自传感器的信号。

6. 结论

DDTB114TC-7-F是一款性能卓越的PNP晶体管,其高集电极电流能力、优良的电流增益及小巧的封装设计使其成为各种电子应用中的理想选择。随着电子设备日益需要更高的效率和更小的体积,DDTB114TC-7-F提供的特性完美地契合了市场的需求,是电子设计师和工程师在选择组件时值得考虑的优质产品。无论是在消费类电子、工业设备还是汽车电子等多个领域,DDTB114TC-7-F都将发挥重要的作用。