晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTB114TC-7-F是一款高性能的PNP型预偏压晶体管,具有适用于各种电子电路的优越特性。其设计旨在满足电子设备中对高频率、高电流和低功耗的需求,广泛应用于开关电源、音频放大、信号放大及其他需要电子开关的场景。
该晶体管的主要电气参数包括:
DC电流增益(hFE): 在5mA的基极电流和5V的条件下,hFE的最小值可达100,这使得该晶体管在放大电流时表现出良好的线性特性。高增益特性使得使用较小的输入信号即可获得较大的输出功率。
饱和压降: 此款晶体管在工作中表现出低饱和压降,其最大值仅为300mV(在2.5mA基极电流及50mA集电极电流条件下),这有助于提高整体电路效率,降低功耗。
集电极截止电流: DDTB114TC-7-F的最大集电极截止电流为500nA(ICBO),意味着在开关未导通时,漏电流非常小,有助于提高产品的可靠性和降低待机功耗。
跃迁频率: 其频率响应达到200MHz,适合于高速处理信号的应用场景,确保了在高频应用中,信号的完整性和有效传输。
DDTB114TC-7-F采用表面贴装技术(SMD),封装类型为SOT-23,封装尺寸小巧,适合现代电子设备的小型化设计。SOT-23封装提供良好的散热特性,有助于提升其在高功率工作下的稳定性。
基于其优越的电气特性,DDTB114TC-7-F可广泛应用于以下几个领域:
DDTB114TC-7-F是一款性能卓越的PNP晶体管,其高集电极电流能力、优良的电流增益及小巧的封装设计使其成为各种电子应用中的理想选择。随着电子设备日益需要更高的效率和更小的体积,DDTB114TC-7-F提供的特性完美地契合了市场的需求,是电子设计师和工程师在选择组件时值得考虑的优质产品。无论是在消费类电子、工业设备还是汽车电子等多个领域,DDTB114TC-7-F都将发挥重要的作用。