DMN2055U-13

产品概述：DMN2055U-13 N 通道 MOSFET

概要

DMN2055U-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应管），专为低电压和较高电流应用而设计。它的额定漏源电压为 20V，能够承载最大连续漏极电流为 4.8A，适用于各种电子设备，尤其是需要高效开关控制的应用。该元器件采用紧凑的 SOT-23 封装，非常适合于表面贴装（SMD）设计，适用于现代电子设备的小型化需求。

技术参数

1. 漏源电压（Vdss）：20V

   • 这使得 DMN2055U-13 可以在 20V 的电压下安全工作，非常适合低电压应用。

2. 连续漏极电流（Id）：4.8A（在 25°C 环境温度下）

   • 该元器件能够支持的最大电流达 4.8A，适用于各种功率控制和开关应用。

3. 导通电阻（Rds(on)）：

   • 当 Vgs 为 4.5V，Id 为 3.6A 时，导通电阻最大值为 38 毫欧，具备较低的导通损耗，可以提升系统的整体效率。

4. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：

   • 最大 Vgs(th) 为 1V @ 250µA，意味着 MOSFET 在很低的栅极电压下即可开始导通，提升了设计的灵活性。

5. 栅极电荷（Qg）：

   • 最大栅极电荷为 4.3nC @ 4.5V，该值有助于计算开关速度与驱动电路的功耗。

6. 输入电容（Ciss）：

   • 在 10V 下，输入电容最大为 400pF，确保了信号传输的高效性和稳定性。

7. 工作温度范围：

   • 它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，保证了在极端环境下的可靠性，适合各种工业应用。

8. 功率耗散：

   • 最大功率耗散能力为 800mW（常温下），这在工程设计选择中提供了额外的安全裕度。

应用场景

DMN2055U-13 MOSFET 适用于广泛的应用场景，包括但不限于：

• 开关电源：高效的电源转换和电压调节。
• 马达驱动：在电动机驱动电路中作为开关元件。
• 电池管理系统：用于电池的充放电控制，提高系统效能。
• LED 驱动：提供稳定的电流和电压，提升光源的效率和寿命。
• 负载开关：用于智能家居和工业自动化中控制各种负载状态。

结论

DMN2055U-13 MOSFET 通过其优良的电气特性、紧凑的封装形式和广泛的应用适应性，成为设计电子产品时的一种极具吸引力的选择。其低导通电阻、高电流容量和宽工作温度范围使其非常适合各种创新的电子设计需求。同时，其行业知名品牌 DIODES 提供的产品质量及技术支持，使客户能够安心选择和使用此款 MOSFET。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理系统中，DMN2055U-13 都能提供稳定、可靠的工作表现，是提升产品竞争力的理想选择。