BSS84TA 产品实物图片
BSS84TA 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS84TA

商品编码: BM0084960459
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.407
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.407
--
50+
¥0.28
--
1500+
¥0.255
--
3000+
¥0.232
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS84TA参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)50V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mAVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)40pF @ 25V功率耗散(最大值)360mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

BSS84TA手册

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BSS84TA概述

BSS84TA 产品概述

产品简介 BSS84TA是一款经过广泛应用的P通道MOSFET,其设计目标是满足各类电子设备中对高效能和可靠性的需求。该元器件主要用于开关和信号放大应用,可有效处理较高的漏极源电压,同时保持低导通电阻,适合多种场景的使用。

基本参数特性 BSS84TA的主要参数如下:

  • FET类型:该器件为P通道MOSFET,意味着它在负电压上工作,在某些应用中更能提高效率。
  • 漏源电压(Vds):最大漏源电压为50V,这一能力确保了其在高压环境下的稳定运行。
  • 连续漏极电流(Id):在25°C环境下,该器件的连续漏极电流为130mA,能够应对日常绝大多数应用场景。
  • 使能电压(Vgs):为确保芯片达到最低导通阻抗,Vgs的最大值为±20V,适应不同的电路需求。

电气特性

  • 导通电阻(Rds On):在5V驱动电压下,BSS84TA表现出优异的性能,其在100mA时的最大导通电阻为10Ω,意味着在负载工作时不会产生过多的功耗,极大地提高了系统的能效。
  • 阈值电压(Vgs(th)):在1mA电流下,Vgs(th)最大值为2V,这对于实现适时开关控制至关重要。
  • 输入电容(Ciss):在25V工作电压下,其输入电容达到了40pF,表明其过渡特性非常优秀,有助于提升开关速度。

功率与温度

  • 功率耗散:BSS84TA的最大功率耗散为360mW(在25°C环境下),这使得它在较高功率负载下仍能维持稳定的工作状态。
  • 工作温度范围:该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,体现了其广泛的适用性,满足各种应用下的使用需求,尤其是在严苛环境中的应用。

封装与结构 BSS84TA采用SOT-23封装,符合TO-236-3和SC-59标准,适合表面贴装(SMD)技术,能够便于快速生产和装配。该封装形式不仅节省了电路板空间,还为整体设备的体积缩小带来了便利。

应用场景 BSS84TA可广泛应用于诸如电源管理、自动化设备、开关电路、信号调节、功率放大等领域。在低功耗电源开关、数字电路信号开关及小型便携设备中,该器件表现尤为突出。

总结 BSS84TA是一款功能强大的P通道MOSFET,提供了高电流处理能力、多样的电气特性,在众多应用中展现出高度的灵活性和可靠性。其性能优势和耐高温特性,使其成为设计师在对提升效率和优化电路设计时的优选元件。无论是在便携式电子设备还是工业自动化控制系统中,BSS84TA都能够提供优异的性能支持,助力工程师开发出更高效、更可靠的电子产品。