FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 欧姆 @ 100mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 40pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品简介 BSS84TA是一款经过广泛应用的P通道MOSFET,其设计目标是满足各类电子设备中对高效能和可靠性的需求。该元器件主要用于开关和信号放大应用,可有效处理较高的漏极源电压,同时保持低导通电阻,适合多种场景的使用。
基本参数特性 BSS84TA的主要参数如下:
电气特性
功率与温度
封装与结构 BSS84TA采用SOT-23封装,符合TO-236-3和SC-59标准,适合表面贴装(SMD)技术,能够便于快速生产和装配。该封装形式不仅节省了电路板空间,还为整体设备的体积缩小带来了便利。
应用场景 BSS84TA可广泛应用于诸如电源管理、自动化设备、开关电路、信号调节、功率放大等领域。在低功耗电源开关、数字电路信号开关及小型便携设备中,该器件表现尤为突出。
总结 BSS84TA是一款功能强大的P通道MOSFET,提供了高电流处理能力、多样的电气特性,在众多应用中展现出高度的灵活性和可靠性。其性能优势和耐高温特性,使其成为设计师在对提升效率和优化电路设计时的优选元件。无论是在便携式电子设备还是工业自动化控制系统中,BSS84TA都能够提供优异的性能支持,助力工程师开发出更高效、更可靠的电子产品。