FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 80 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 443pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 800mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMP2110U-13 是一款由知名半导体制造商 DIODES(美台)出品的 P 型通道 MOSFET,封装类型为 SOT-23(TO-236-3),适用于各种电子电路设计,特别是在需要低导通电阻及高功率管理的应用场景中。该元器件的额定漏源电压为20V,并且提供了高达3.5A的连续漏电流能力,适合在宽广的温度范围内可靠工作。
电气参数:
工作阈值与控制特性:
栅极电荷(Qg): 最大值为6nC @ 4.5V,低栅极电荷意味着更快的开关速度,适合用于高速开关应用。
功率耗散与热管理:
安装与封装:
DMP2110U-13 适用于多种应用领域,包括但不限于:
DMP2110U-13 MOSFET凭借其优越的电气性能和广泛的应用适应性,是低电压、小型化电子产品的理想选择。其可靠的阈值电压、低导通电阻及良好的热特性,确保了在多种电子环境下的稳定运行。选择DMP2110U-13将为设计师提供灵活、高效的解决方案,应对当前电子行业日益增长的性能和功率管理需求。