DMP2110U-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP2110U-13

商品编码: BM0084960457
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 3.5A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
500(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.453
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.453
--
100+
¥0.313
--
500+
¥0.285
--
2500+
¥0.263
--
5000+
¥0.246
--
10000+
¥0.231
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2110U-13参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)443pF @ 10V
功率耗散(最大值)800mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

DMP2110U-13手册

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DMP2110U-13概述

DMP2110U-13 产品概述

一、产品简介

DMP2110U-13 是一款由知名半导体制造商 DIODES(美台)出品的 P 型通道 MOSFET,封装类型为 SOT-23(TO-236-3),适用于各种电子电路设计,特别是在需要低导通电阻及高功率管理的应用场景中。该元器件的额定漏源电压为20V,并且提供了高达3.5A的连续漏电流能力,适合在宽广的温度范围内可靠工作。

二、关键特性

  1. 电气参数:

    • 漏源电压(Vdss): 最大20V,使其适用于低压电源管理和开关应用。
    • 连续漏极电流(Id): 最大3.5A (在25°C环境条件下),可满足大多数低功耗开关电路的需求。
    • 导通电阻(Rds On): 在4.5V Vgs下,最大值为80毫欧(电流为2.8A),有助于降低功耗并提高电路效率。
  2. 工作阈值与控制特性:

    • Vgs(th): 最大阈值电压为1V @ 250µA,显示了该元器件的高敏感性,便于在较低的栅极电压下开启。
    • 输入电容(Ciss): 最大值为443pF @ 10V,提供了良好的频率特性,有助于在高频应用中提高开关效率。
  3. 栅极电荷(Qg): 最大值为6nC @ 4.5V,低栅极电荷意味着更快的开关速度,适合用于高速开关应用。

  4. 功率耗散与热管理:

    • 最大功率耗散为800mW (Ta),有效帮助设计无风扇或被动冷却的电路,适应环境温度从-55°C到150°C的严苛条件。
  5. 安装与封装:

    • 使用SOT-23封装,具有小型化和表面贴装的优势,适合于现代微型电子产品的应用。

三、应用场景

DMP2110U-13 适用于多种应用领域,包括但不限于:

  1. 电源管理: 用于DC-DC转换器、线性稳压器和电池管理系统中,提供有效的功率控制和管理。
  2. 电机驱动: 在小型电机控制、电动工具和电工设备中,该MOSFET能够提供高效的开关控制。
  3. 开关电路: 由于其高速开关特性,该元器件适合用于各种信号开关及数据开关应用。
  4. 消费电子: 适用于移动设备、笔记本电脑和其他便携式电子产品的低压开关控制。

四、总结

DMP2110U-13 MOSFET凭借其优越的电气性能和广泛的应用适应性,是低电压、小型化电子产品的理想选择。其可靠的阈值电压、低导通电阻及良好的热特性,确保了在多种电子环境下的稳定运行。选择DMP2110U-13将为设计师提供灵活、高效的解决方案,应对当前电子行业日益增长的性能和功率管理需求。