晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,200mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 270 @ 10mA,2V |
功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 260MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
2DA2018-7是一款由DIODES(美台)生产的高性能PNP型晶体管,专为各种电子应用而设计,特别适合需要中等功率和高频响应的电子电路。它采用SOT-523封装,便于表面贴装,广泛应用于便携式设备、通信设备和通用电子电路中。
晶体管类型:PNP
2DA2018-7为PNP型晶体管,适用于电流源配置和开关应用,尤其适合于需要电路反向偏置的场合。
电流 - 集电极 (Ic):最大500mA
其最大集电极电流(Ic)为500mA,能够满足大多数中等功率应用的需求,适合驱动低功率负载或用于高效开关电源电路。
电压 - 集射极击穿(最大值):12V
集射极击穿电压极限为12V,确保在大多数电路中可靠工作,同时提供一定的电压安全裕度。这对于设计者来说是一个重要参数,能够防止在高电压情况下对晶体管造成损坏。
功率 - 最大值:150mW
功率耗散能力为150mW,适合小型化和低功耗的电路设计。同时,这一参数也表明其在适当散热条件下可以长时间稳定工作。
频率 - 跃迁:260MHz
具备高达260MHz的跃迁频率,使其适合于高频信号放大和切换操作,适应现代电子设备对信号处理速度的要求。
安装类型:表面贴装型
SOT-523封装使其适合表面贴装(SMD),大大方便了自动化生产和PCB设计,同时节省了空间,为小型电子设备提供了理想选择。
工作温度:-55°C ~ 150°C
具有宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C,确保其在各种严苛环境条件下都能可靠运行,适合铁路、航空航天及汽车电子等应用领域。
Vce饱和压降(Vce(sat)):250mV @ 10mA,200mA
在不同的电流条件下,Vce的饱和压降表现良好,这意味着在开关状态下,晶体管能够减少功率损耗并提高效率。
DC 电流增益 (hFE):最小270 @ 10mA,2V
高达270的直流电流增益提高了其在放大应用中的性能,使得较小的输入信号能够有效地控制较大的输出电流,符合高度集成的电路设计标准。
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
非常小的集电极截止电流值(ICBO),确保在关断状态下几乎没有泄漏电流,使其适合于高精度的低功耗系统,提升产品的能源效率。
2DA2018-7凭借其出色的电气特性和稳定性,广泛应用于:
综上所述,2DA2018-7是一款集高性能、低功耗与高度集成于一体的PNP晶体管,非常适合现代电子应用。无论是在高频信号处理、低功率驱动还是广泛的工作温度范围内,2DA2018-7都能够满足设计师的需求,支持创新的电路设计和应用开发。