晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 欧姆 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
产品名称: DDC142JH-7
品牌: DIODES(美台)
封装类型: SOT-563
DDC142JH-7是一款高性能的双NPN晶体管,专为表面贴装应用而设计,采用SOT-563封装。这款晶体管尤其适用于低功耗和高频应用,能满足现代电子电路对小型化、高效能及高频性能的需求。其极小的封装尺寸和出色的电气特性,使其在各类消费电子、通信设备以及工业控制等领域得到了广泛应用。
晶体管类型: DDC142JH-7为双NPN预偏压式晶体管,意味着它具有内置的预偏压,能够简化电路设计。
集电极电流 (Ic): 该产品的最大集电极电流为100mA,能够处理一般的负载要求,同时也适合于驱动小型负载的应用场景。
击穿电压 (Vce): 工作最大电压为50V,确保晶体管在多种工作条件下保持稳定的性能表现。
电流增益 (hFE): 在10mA的集电极电流和5V的电压条件下,直流电流增益 (hFE) 至少为56,这意味着DDC142JH-7能够有效地放大输入信号,提升电路的整体性能。
饱和压降: 在250µA的基极电流和5mA的集电极电流下,饱和压降最大为300mV,展示出良好的开关性能,为电路设计的高效运行提供了保证。
截止电流: 该晶体管的最大集电极截止电流仅为500nA,表明在关闭状态下极低的漏电流,减少了功耗,提高了整体电路的能效。
高频特性: DDC142JH-7在高达200MHz的跃迁频率下运作,能够满足高频信号处理的需求,适用于高频开关电源及RF应用。
功率处理: 最大功率为150mW,使其适用于一般小功率应用,能够满足一些低功率放大器和开关电路的需求。
电阻器参数:
DDC142JH-7由于其良好的性能和特性,广泛用于以下领域:
DDC142JH-7是一款出色的双NPN晶体管,其在高增益、低功耗和高频特性上的表现,结合其在SOT-563封装中的紧凑设计,令其成为现代电子产品中理想的选择。这款晶体管不仅满足了设计师在功率、频率和尺寸上的严格要求,同时也具备优异的性价比和可靠性,能够广泛应用于各类电子设备。随着电子技术的不断进步和应用领域的扩展,DDC142JH-7必将继续发挥其潜力,推动电子行业的发展。