APT27ZTR-G1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

APT27ZTR-G1

商品编码: BM0084960452
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO92
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.442
按整 :
盒(1盒有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.442
--
50+
¥0.311
--
1000+
¥0.271
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

APT27ZTR-G1参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)800mA
电压 - 集射极击穿(最大值)450V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 40mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大值)10µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)15 @ 100mA,10V
功率 - 最大值800mW工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92

APT27ZTR-G1手册

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APT27ZTR-G1概述

APT27ZTR-G1 产品概述

APT27ZTR-G1 是一款高性能 NPN 晶体管,广泛应用于各种电子电路和设计中。这款晶体管由知名半导体企业 DIODES(美台)制造,具有优异的技术参数,适合多种工作环境和应用场景。在本文中,我们将深入探讨 APT27ZTR-G1 的关键特性和应用。

1. 技术参数

APT27ZTR-G1 作为 NPN 晶体管,具有以下重要技术参数:

  • 最大集电极电流 (Ic): 800mA,适用于中等负载应用。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 450V,能够承受高电压环境。
  • 饱和电压 (Vce(sat)): 在不同的集电极电流 (Ic) 和基极电流 (Ib) 下,此晶体管的饱和电压最高为 500mV(在 40mA 和 200mA 时),确保了在开启状态时能耗的有效控制。
  • 集电极截止电流 (Ic(sat)): 10µA,表明此器件在关闭状态下漏电流非常小,有助于提高电路效率。
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值为 15,适用于 100mA 和 10V 的条件,该参数保证了晶体管在放大和开关状态下的良好性能。
  • 最大功率值: 800mW,适用于多种功率要求的电路设计。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,确保其在极端环境下的可靠性能。

2. 封装与安装

APT27ZTR-G1 采用 TO-92 封装,这种通孔安装的设计使得其在组装时具有较好的稳定性和紧凑性。在众多电子元器件中,TO-92 封装因其紧凑性和良好的散热性能,成为了常见的选择。晶体管的成形引线设计有助于简化 PCB 上的布局和焊接过程。

3. 应用场景

APT27ZTR-G1 的广泛适用性使其成为各种电子设备中的关键组件。其主要应用包括但不限于:

  • 开关电路: 由于其高 Ic 和 Vce,APT27ZTR-G1 可用于控制电源和负载开关电路,能够在高电压和中等电流的条件下稳定工作。
  • 信号放大: 该器件具有良好的增益特性,可以广泛应用于音频放大器和射频放大器等场合,帮助提升信号质量。
  • 电流镜电路: 在模拟电路中,这种晶体管可用于构建电流镜电路,控制输出电流和电压特性。
  • 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器等电源管理应用,实现精确的电压调节和负载控制。
  • 控制电路: 作为微控制器或其他数字电路的驱动器,APT27ZTR-G1 可用于控制继电器、LED 等外设,扩大系统的功能。

4. 性能优势

与同类产品相比,APT27ZTR-G1 以其优越的电气性能和宽广的工作温度范围脱颖而出。特别是在高电压、高电流应用中,其稳定的工作性能和低功耗特性使得该器件在实际应用中更具优势。同时,其良好的散热能力和可靠性符合滚动寿命和长时间运营的需求。

5. 总结

APT27ZTR-G1 是一款高性能的 NPN 晶体管,具有优异的电气特性和广泛的应用前景。无论是在工业控制、消费电子,还是在通信设备中,APT27ZTR-G1 均展现出其独特的价值。凭借 DIODES(美台)的技术支持和可靠性保证,APT27ZTR-G1 是设计师和工程师在进行电子设备设计时值得信赖的选择。

如果您对 APT27ZTR-G1 有更多兴趣,建议查阅其详细的规格书以获取更多技术参数和使用说明。