晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 450V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 40mA,200mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 15 @ 100mA,10V |
功率 - 最大值 | 800mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
供应商器件封装 | TO-92 |
APT27ZTR-G1 是一款高性能 NPN 晶体管,广泛应用于各种电子电路和设计中。这款晶体管由知名半导体企业 DIODES(美台)制造,具有优异的技术参数,适合多种工作环境和应用场景。在本文中,我们将深入探讨 APT27ZTR-G1 的关键特性和应用。
APT27ZTR-G1 作为 NPN 晶体管,具有以下重要技术参数:
APT27ZTR-G1 采用 TO-92 封装,这种通孔安装的设计使得其在组装时具有较好的稳定性和紧凑性。在众多电子元器件中,TO-92 封装因其紧凑性和良好的散热性能,成为了常见的选择。晶体管的成形引线设计有助于简化 PCB 上的布局和焊接过程。
APT27ZTR-G1 的广泛适用性使其成为各种电子设备中的关键组件。其主要应用包括但不限于:
与同类产品相比,APT27ZTR-G1 以其优越的电气性能和宽广的工作温度范围脱颖而出。特别是在高电压、高电流应用中,其稳定的工作性能和低功耗特性使得该器件在实际应用中更具优势。同时,其良好的散热能力和可靠性符合滚动寿命和长时间运营的需求。
APT27ZTR-G1 是一款高性能的 NPN 晶体管,具有优异的电气特性和广泛的应用前景。无论是在工业控制、消费电子,还是在通信设备中,APT27ZTR-G1 均展现出其独特的价值。凭借 DIODES(美台)的技术支持和可靠性保证,APT27ZTR-G1 是设计师和工程师在进行电子设备设计时值得信赖的选择。
如果您对 APT27ZTR-G1 有更多兴趣,建议查阅其详细的规格书以获取更多技术参数和使用说明。