制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 220 欧姆 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
基本产品编号 | DDC122 |
概述
DDC122LU-7-F是由Diodes Incorporated制造的一款高性能双NPN晶体管,采用表面贴装封装(SOT-363)。该产品专为满足现代电子设备中高效率和小型化的需求而设计,可广泛应用于信号放大、开关控制和其他高频电路。凭借其优越的电气特性和可靠性,DDC122LU-7-F在通信、消费电子和工业自动化等领域具有显著的应用潜力。
基本参数
电气特性
DDC122LU-7-F的关键电气特性包括:
最大集电极电流 (Ic): 100mA。该参数表明晶体管能够处理的最大负载电流,对于许多应用场合而言,100mA的电流能力能够满足大部分设计需求。
集射极击穿电压 (Vce): 50V。这一参数决定了晶体管在安全工作条件下所能承受的最大电压,确保了在多种电压环境中的可靠运行。
基极电阻 (R1): 220Ω和发射极电阻 (R2): 10kΩ,配置方案适合多种放大电路设计。
直流电流增益 (hFE): 最小值为56,基于10mA的集电极电流和5V的电压。这一增益值表示该晶体管在满足特定工作条件时的放大能力,适用于需要高增益的应用场合。
饱和压降 (Vce(sat)): 最大值为300mV,在250µA的基极电流和5mA的集电极电流条件下测得。此参数越低,表示晶体管在开关状态下的能耗就越小,适合高效电源管理应用。
集电极截止电流 (Ic(off)): 最大值为500nA,确保在关闭状态下对电流的有效控制。
跃迁频率: 200MHz,表明DDC122LU-7-F适用于高速开关应用,能够满足高频数据传输的要求。
最大功率: 200mW,确保设备在长时间运行时能够有效散热,保障其长期稳定性。
应用场景
由于其紧凑的尺寸和出色的电气参数,DDC122LU-7-F主要应用于:
信号放大器: 在音频、视频和通信系统中,作为信号放大器提供增益,提升信号质量。
开关电路: 用于实现高效的控制开关,对于需要快速切换的负载或设备,提供高可靠性的开关功能。
无线通信设备: 利用其高频特性,DDC122LU-7-F可在各种无线应用中作为信号放大和调制组件,提高信号的传输质量。
传感器接口: 在进行信号采集时,将DDC122LU-7-F作为前端放大组件,以增强来自传感器的微弱信号。
便携式设备和消费电子: 由于其小型化和低功耗特性,DDC122LU-7-F适合于智能手机、平板电脑和其他便携设备中广泛应用。
结论
DDC122LU-7-F是一款杰出的双NPN晶体管,凭借其优越的性能指标及其高频能力,能够满足各种现代电子产品的需求。Diodes Incorporated为其提供了可靠的制造和质量保证,使其成为设计师和工程师在开发新产品时值得信赖的选择。无论是在通信、工业还是消费电子领域,DDC122LU-7-F的应用前景广阔,将为电路设计带来更多创意可能。