制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 100mA,1V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
功率 - 最大值 | 330mW | 基本产品编号 | FMMTA56 |
FMMTA56TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 PNP 型双极型晶体管(BJT),其设计旨在满足各种电子应用的需求,包括开关和放大电路。该器件的技术特性和性能参数使其在消费类电子、工业设备以及通讯设备中都能发挥重要作用。
FMMTA56TA 采用 SOT-23 封装,具有体积小、重量轻的特点,非常适合在空间受限的应用场合中使用。该封装形式也方便了自动贴装和大规模生产。
FMMTA56TA 的电气特性值得关注。其最大集电极电流 (Ic) 达到 500mA,电压-集射极击穿(V(BR)CES)的最大值为 80V,表明该器件能够在多种高电压环境下稳定工作。此外,此款晶体管的功率最大值为 330mW,这使其适用于需要适度功率处理的应用。
FMMTA56TA 的饱和压降(Vce 饱和)在不同的 Ib 和 Ic 测试条件下,其最大值为 250mV(当 Ic 为 10mA 和 100mA 时)。低饱和压降意味着晶体管在工作状态下能更高效地转换信号,从而减少功耗。
该型号的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 50,测试条件为 Ic=100mA,Vce=1V。这种增益水平在各种普通放大器电路中表现良好,能提供足够的信号放大能力。
FMMTA56TA 的集电极截止电流 (I(CBO)) 最大值为 100nA,表明该器件具有优良的关断性能。在绝大多数应用中,该参数影响着电路的静态功耗表现,并直接关系到设备的能效。
该器件的频率特性也同样突出,跃迁频率达到了 100MHz,意味着 FMMTA56TA 在高速开关和高频放大应用中能够可靠地工作。这项特性使得该晶体管在需要频繁开关的应用(如开关电源及调制解调器电路)中尤为适用。
FMMTA56TA 工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),这使其能够在极端环境条件下工作,非常适合汽车和航空航天等要求严苛温度控制的领域。
基于上述特性,FMMTA56TA 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
消费电子产品: 如手机、音响设备和家庭自动化系统,适合用于信号放大和开关电路。
汽车电子: 适用于汽车控制模块和电源管理系统,以提供稳定可靠的性能。
工业应用: 可以用作传感器接口、数据采集设备中的放大器和开关。
FMMTA56TA 是一款设计优良、性能可靠的 PNP 晶体管,其高增益、低饱和压降以及广泛的工作温度范围使其在各类电子设计中都展现出良好的灵活性和适应性。通过采用 SOT-23 封装,FMMTA56TA 不仅在性能上具有优势,还能更好地满足现代电子产品对小型化与高效能的需求。无论是在日常电子产品还是在严苛工业环境中,FMMTA56TA 都是一个值得考虑的选择,为设计工程师提供了强大的性能基础和设计灵活性。