晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 220 欧姆 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
概述 DDA122TH-7 是一种高性能的双极性PNP晶体管,专为电流放大和开关应用设计,采用表面贴装封装(SOT-563)。该产品体现了现代电子设计对小型化与高集成度的追求,能够在多种输入和输出条件下提供可靠的性能。它具有较高的电流放大能力和频率响应,适合用于消费电子、通信设备和工业控制等众多应用场景。
关键参数
晶体管类型: DDA122TH-7 是一款双PNP晶体管,适合用于负载驱动和信号放大。在多通道电路中,双PNP结构可以有效提升系统集成度。
电流與电压特性:
电流增益 (hFE): 当 Ic 为 1mA、Vce 为 5V 时,最低 DC 电流增益 (hFE) 为 100,显示出该器件在低电流情况下仍具备良好的放大能力,适用于需要高增益的电路设计。
饱和压降: 最大饱和压降为 300mV,分别在 250µA 和 5mA 的条件下测得,这表明在实际开关过程中,该器件能够在保持低功耗的同时确保有效的开关性能。
频率响应: DDA122TH-7 拥有高达 200MHz 的跃迁频率,使其在高频信号下仍能保持良好的工作状态,适用于数据通信和高频开关电路。
功率处理能力: 最大功率为 150mW,符合小型电路板的设计要求,适合高密度安装环境。
安装与封装 DDA122TH-7 使用 SOT-563 封装形式,该表面贴装封装有助于提高PCB的空间利用率。此外,SOT-563 封装具有良好的热传导性能,确保在工作时晶体管的散热效果,使得器件能够在较高环境温度下稳定工作。
应用领域 DDA122TH-7 广泛应用于多个电子设备的设计中,包括:
总结 综合以上特色,DDA122TH-7 的高效能与可靠性使其成为多领域电子设计中的理想元件,其几乎无暇的电气性能、便捷的小型封装以及灵活的应用潜力使其在行业中具有重要的市场地位。无论是在新产品开发还是在现有系统的改进中,DDA122TH-7 都可为工程师提供强大的设计支持与性能保障。