制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 剪切带(CT) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 250mA,1A | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 5 @ 1A,2V |
频率 - 跃迁 | 4MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
供应商器件封装 | TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 450V | 功率 - 最大值 | 1.1W |
APT13003DZTR-G1是一款由Diodes Incorporated制造的高性能NPN晶体管,广泛应用于各种电子设备中,其设计旨在满足各种数据处理和电源控制的需求。这款晶体管主要适用于低到中功率开关及放大应用,并以其优良的线性性能和高频特性而受到工程师的青睐。
APT13003DZTR-G1采用TO-92封装,具有较小的体积和适合通孔安装的特性。其主要参数特点如下:
工作电流与电压:该晶体管的最大集电极电流(Ic)为1.5A,这使其能够在大部分中等负载条件下工作。其集射极击穿电压(Vceo(max))高达450V,因此在高电压应用环境下仍能保持良好的性能。
功率处理能力:APT13003DZTR-G1在最大功率下可承受的功率为1.1W,这为其在多个应用场景提供了很大的灵活性,适合需要高功率转换的场合。
饱和压降:在大约250mA至1A的电流下,其Vce饱和压降最大值为400mV,这一特性使其在进行开关操作时能实现高效率,从而减少能量损耗。
电流增益:在1A和2V的条件下,APT13003DZTR-G1的直流电流增益(hFE)最小值为5,提供良好的信号放大能力,广泛应用于音频放大与信号调制等领域。
频率响应:其频率跃迁特性高达4MHz,表明APT13003DZTR-G1能够实现有效的高频开关操作,适用于需要快速开关控制的场合,如开关电源和马达驱动器。
工作温度范围:APT13003DZTR-G1的工作温度范围为-65°C至150°C,意味着它在恶劣的环境条件下亦能稳定工作,适合于多种工业和商业应用。
APT13003DZTR-G1的多功能特性使其适应多个应用场景,包括但不限于:
APT13003DZTR-G1是一款性能优越的NPN晶体管,凭借其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,成为电子工程师在电源管理和信号处理方面的重要选择。无论在高频应用还是低功率开关中,APT13003DZTR-G1均表现出色,使其在当今快速发展的电子产品中扮演着关键角色。通过其可靠性和高效能,APT13003DZTR-G1在未来的电子应用中将继续发挥重要作用。