晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,1V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
DCP69-16-13 是一款高性能的PNP晶体管,专为各种电子电路应用而设计。该器件能够承受高达1A的集电极电流,并在20V的集射极击穿电压下可靠工作。它的低饱和压降和高增益特性使其成为增强电流驱动能力的理想选择。本产品采用SOT-223封装,支持表面贴装,适合现代电子产品的紧凑设计需求。
DCP69-16-13 的设计使其适合多种应用,包括但不限于:
在东安应用DCP69-16-13 时,设计师需确保布局合理,以最大限度地减少电磁干扰(EMI)及保证信号完整性。以下是一些建议:
综上所述,DCP69-16-13是一款适用于各种应用的高性能PNP晶体管,凭借其卓越的电气特性和先进的设计,必将为您的电子项目提供稳定可靠的解决方案。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,DCP69-16-13都能为您的设计提供强大的支持。选择DCP69-16-13,将为您的产品带来更高的核心竞争力和市场价值。