晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 500mA,1V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
DCP69-25-13 是一款高性能的 PNP 晶体管,专为各种电子电路中的放大和开关应用设计。该器件属于 DIODES(美台)品牌,采用表面贴装封装(SOT-223),在满足现代电子设备对尺寸和性能的高要求方面表现优异。
DCP69-25-13 的基本参数如下:
DCP69-25-13 的最大集电极电流可达到1A,使其适用于需要较大电流驱动的场景,而且其出色的饱和压降特性(最大500mV)使得该器件在开关应用中能够有效降低功耗。
该晶体管的集电极截止电流高达100nA,确保了在关断状态下的高隔离效果,减少了无意的电流泄漏,提高了电路的效率和稳定性。
DCP69-25-13 的直流电流增益(hFE)最小为160,表明其具有良好的信号放大能力。这使得该器件在多种放大应用中展现出色表现。
该器件的工作温度范围广泛(-55°C ~ 150°C),使其适应多种严苛环境条件,适合于汽车电子、工业控制和消费电子等多个领域。
DCP69-25-13 适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
DCP69-25-13 PNP 晶体管凭借其优异的性能参数,如低饱和压降、出色的直流增益和极低的截止电流,成为电源管理和信号放大的理想选择。无论是用于消费电子、工业控制还是汽车电子中,其卓越的高频特性和宽工作温度范围,均能够确保设备的稳定性和可靠性。
总之,选择 DCP69-25-13,您将获得一个不仅性能卓越,而且在多种环境下同样能稳定运行的高品质晶体管,为设计和开发带来更多可能。