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DMC3025LSDQ-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 6.5A；4.2A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.86按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.86
--
50+
￥1.55
--
1250+
￥1.43
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMC3025LSDQ-13参数
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta），4.2A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.6nC，5.1nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 501pF，590pF @ 15V，25V |
| 功率 - 最大值 | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
DMC3025LSDQ-13手册
无数据
DMC3025LSDQ-13概述
DMC3025LSDQ-13 产品概述
概述
DMC3025LSDQ-13 是一种高性能的场效应管（MOSFET），由美台电子（DIODES）制造。它结合了一个N沟道与一个P沟道 MOSFET，封装采用8-SOIC（SO-8）形式，适合于表面贴装组件使用。该产品的设计旨在满足对高效率和可靠性的要求，特别适合在功率管理、开关电源转换和电机驱动等应用场景下使用。
主要特点
电气参数:
- 漏源电压（Vdss）: 最大可达30V，使其在多种应用场景中具有良好的适用性。
- 连续漏极电流（Id）: 在25℃环境下，N沟道的连续漏极电流高达6.5A，而P沟道为4.2A，适合多种负载需求。
- 导通电阻: 在7.4A、10V的条件下，最大导通电阻为20毫欧，保证在高电流情况下有效降低功耗，从而提高效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大2V @ 250µA，符合较低电平驱动的要求。
- 栅极电荷（Qg）: 在4.5V下，最大栅极电荷为4.6nC和5.1nC，提供快速开关特性，降低开关损耗。
电容特性:
- 输入电容（Ciss）: 在不同的Vds条件下，最大输入电容为501pF至590pF，这为其在高频应用中的表现提供了支持。
功耗特性:
- 最大功率: 在环境温度 Ta 下最大功率为1.2W，确保在热管理良好的条件下运行。
工作环境:
- 工作温度范围: 掺杂了宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，适合于极端环境及高温应用。
封装特性:
- SO-8封装的设计不仅有助于简化PCB布局，还可以有效降低热阻，提高散热效率。SO-8格式的体积小巧且易于自动化焊接，提升了生产效率。
应用领域
DMC3025LSDQ-13 的设计使其广泛应用于:
- 电源管理: 适用于DC-DC转换器、功率开关等应用，能够有效地控制能量的传输。
- 电机控制: 在电机驱动电路中作为开关元件，确保高效率的控制与调节。
- 消费电子: 将其应用于各种消费电子产品，如智能手机、平板电脑，提供高效的能源管理。
- 汽车电子: 适合放置于汽车电子控制模块中，因其出色的温度稳定性以及高电流承载能力。
总结
DMC3025LSDQ-13 是一款综合性能优良的MOSFET，设计用于现代电子应用的高效能需求，尤其在功率管理和驱动控制方面展现出卓越的特性。凭借其小型化表面贴装封装以及宽广的工作温度范围，DMC3025LSDQ-13 将为客户提供灵活且可靠的解决方案，满足日益增长的高效能电子产品市场需求。