安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 28 毫欧 @ 6A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A,4.8A | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 604pF @ 20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.9nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.8W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
DMC4028SSD-13 是一款由 DIODES(美台)生产的高性能MOSFET阵列,采用表面贴装型(SMD)SO-8封装。该器件集合了N沟道和P沟道的MOSFET功能,广泛应用于各种电子电路中,包括开关电源、马达驱动和其他高效能功率管理系统。
多渠道设计:DMC4028SSD-13 集成了N沟道和P沟道MOSFET,能够满足多种复杂电路设计的需求,简化了PCB布局并提高了设计灵活性。
优良的导通性能:在特定条件下(6A电流和10V栅压),该器件的导通电阻最大为28毫欧(RDS(on)),确保了较低的功耗和热损耗,这使得其在大电流工作时表现更为优秀。
高漏极电流能力:该器件在不同工作条件下展现出卓越的漏极电流能力,持续漏极电流(ID)可达6.5A(N沟道)和4.8A(P沟道),可适应多样应用。
宽广的工作温度范围:DMC4028SSD-13 的工作温度范围涵盖-55°C至150°C,这使得其可以在严苛环境下依然稳定工作。
输入电容和栅极电荷:器件在20V时输入电容(Ciss)最大为604pF,栅极电荷(Qg)最大为12.9nC(在10V时),这一特性使得其在快速开关操作中表现出色,适用于高频应用。
逻辑电平门设计:该MOSFET为逻辑电平门产品,这使其在低电压条件下(如3V)的驱动效果依然良好,便于直接与微控制器或其他数字电路接口。
功率处理能力:在设计上,DMC4028SSD-13的最大功率可达1.8W,适合用于小型功率电源管理和驱动应用。
DMC4028SSD-13的应用场景极为广泛,尤其适用于以下领域:
开关稳压电源:由于其优良的导通特性和低功耗表现,该器件非常适合用于DC-DC转换器和高效能开关电源。
电机驱动:凭借其高电流输出能力,DMC4028SSD-13在电机控制和驱动电路中得到了广泛的应用,为电机提供高效、可靠的驱动解决方案。
电池供电设备:适用于需要高效能功率管理的电池供电应用,如便携式电子设备和电池管理系统。
逻辑电平应用:因其逻辑电平设计,DMC4028SSD-13可直接与微控制器、FPGA等数字电路连接,适用于多种数字电路应用。
DMC4028SSD-13是一款高效、可靠且功能强大的MOSFET阵列,适用于各种现代电子设计。凭借其出色的电气性能和宽广的工作温度范围,该器件在推动电子元件向更高性能和更小型化发展方面发挥了重要作用。无论是在电源管理、信号开关还是驱动电路中,DMC4028SSD-13都能为工程师和设计师提供出色的解决方案,满足日益增长的市场需求。