2DB1188P-13
2DB1188P-13参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 32V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 800mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 82 @ 500mA，3V |
| 功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 120MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
2DB1188P-13手册
2DB1188P-13概述
2DB1188P-13 产品概述
简介
2DB1188P-13是一款由DIODES（美台）生产的高性能PNP晶体管，采用表面贴装封装（SOT-89），特别适合于各种低功耗电子设备和电路中的开关和放大应用。其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及小巧的封装使其在现代电子设计中广受欢迎。
基本参数
- 类型: PNP
- 集电极最大电流（Ic）: 2A
- 集射极击穿电压（Vceo）: 32V
- 饱和电压（Vce(sat)）: 在200mA时为800mV
- 集电极截止电流（ICBO）: 不超过100nA
- 直流电流增益（hFE）: 在500mA和3V条件下，最小增益为82
- 功率最大值: 1W
- 跃迁频率: 120MHz
- 工作温度范围: 从-55°C至150°C
- 封装类型: SOT-89表面贴装封装
性能特点
高电流能力: 本产品的集电极电流（Ic）最大可达2A，适合驱动较大负载的应用，使其非常适合用于电源开关和电机驱动等场合。
较高的耐压性: 32V的集射极击穿电压（Vceo）为设备提供了良好的电压容忍度，能够在较高电压条件下稳定工作。
低饱和压降: 在200mA时饱和压降最小为800mV，低饱和压降有助于提高开关效率，减少功耗，并延长电路的工作寿命。
优秀的增益特性: 该晶体管在500mA的工作条件下，具有最小采集电流增益82，能够实现高效信号放大，广泛应用于线性放大器设计。
超低集电极截止电流: 最大100nA的集电极截止电流使其在静态状态下的功耗非常低，适合待机模式和低功耗场合。
高跃迁频率: 120MHz的高频率使其能够在高速开关和信号处理应用中表现出色，适合现代数字电路应用。
宽温度范围: 能在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作，使其在严苛环境下也能正常运行，适合汽车电子、工业控制等高温应用场合。
应用场景
2DB1188P-13由于其独特的性能，广泛应用于以下领域：
- 功率放大器: 在音频或射频应用中，利用其高电流增益和低饱和压降实现高效信号放大。
- 开关电源: 在DC-DC转换器和线性电源中，作为开关元件以提升效率和功率输出。
- 驱动电路: 驱动继电器、LED、大功率负载等设备，确保兼容各种电流和电压要求。
- 低功耗应用: 其超低的静态电流特点使其非常适合用于各种低功耗消费电子设备。
结论
总体而言，2DB1188P-13适合各类对性能和效率要求较高的应用。无论是在快速切换电路、线性放大、开关模式电源，还是电机控制等领域，都表现出卓越的能力。凭借其小巧的SOT-89封装和好的性能参数，2DB1188P-13无疑是设计工程师寻求有效解决方案时的重要组件之一。选择此款晶体管将为您的设计提供更高的可靠性和效率，助您顺利完成高性能电子产品的开发。