DZT651-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DZT651-13

商品编码: BM0084960006
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.937
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.937
--
50+
¥0.721
--
1250+
¥0.655
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

DZT651-13参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值1W频率 - 跃迁200MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

DZT651-13手册

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DZT651-13概述

DZT651-13 产品概述

DZT651-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能 NPN 晶体管,适用于各种电子应用场景。该晶体管的设计具有多种优秀的电气特性,能够满足广泛的工业、消费电子和通信设备的需求。在下面的介绍中,我们将详细分析 DZT651-13 的关键参数、应用场景以及性能优势。

1. 基本参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 3A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 60V
  • 最大 Vce 饱和压降: 600mV(针对 300mA 和 3A 下的不同 Ib、Ic)
  • 最大集电极截止电流 (ICBO): 100nA
  • 最小 DC 电流增益 (hFE): 100(在 500mA、2V 时)
  • 最大功率: 1W
  • 频率特性: 跃迁频率高达 200MHz
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装: SOT-223 / TO-261-4 / TO-261AA

2. 性能特点

DZT651-13 拥有诸多性能优势:

  • 高电流处理能力: 其最大集电极电流可达 3A,适合用于高电流开关和放大电路。
  • 低饱和压降: 在 3A 电流下,最大 Vce 饱和压降为 600mV,这意味着在开关过程中功耗更低,有助于提高系统的整体能效。
  • 低集电极截止电流: 100nA 的截止电流意味着该晶体管能够在关闭状态下保持很低的漏电流,从而降低待机功耗。
  • 较高的电流增益: 最小增益值为 100,意味着该器件能够高效地放大微弱信号,适合用于线性放大应用。
  • 宽工作温度范围: -55°C 到 150°C 的工作温度范围使得 DZT651-13 能够在极端环境下正常工作,适用性强。

3. 应用场景

DZT651-13 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其高电流和低饱和压降特性,该晶体管非常适合用于电源管理和开关电源电路。
  • 放大器电路: 其高增益特性使其成为音频放大器和信号处理电路的理想选择。
  • 音频设备: 广泛应用于音频放大器、调音器和其他音频处理设备,提升音频信号的质量和输出能力。
  • 通信系统: 由于其高频特性,此器件适合用于 RF 应用,包括发射和接收模块。

4. 封装和安装

DZT651-13 采用 SOT-223 表面贴装封装,这种封装类型的优点在于占用空间小,适合高密度电子电路设计。表面贴装技术(SMT)也加快了装配速度,提高了生产效率,是现代电子设备中普遍采用的封装形式。

5. 结论

综上所述,DZT651-13 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,凭借其高集电极电流能力、低饱和压降、低泄漏电流、高增益及宽温度范围等特点,使其在电子产品设计中具有广泛的应用潜力与高适应性。此外,SOT-223 封装也为其在现代电子设计中提供了极大的便利。无论是在音频应用、开关电源还是通信设备中,DZT651-13 都能提供稳定可靠的性能,是设计工程师的理想选择。