晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 300mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
DZT651-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能 NPN 晶体管,适用于各种电子应用场景。该晶体管的设计具有多种优秀的电气特性,能够满足广泛的工业、消费电子和通信设备的需求。在下面的介绍中,我们将详细分析 DZT651-13 的关键参数、应用场景以及性能优势。
DZT651-13 拥有诸多性能优势:
DZT651-13 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:
DZT651-13 采用 SOT-223 表面贴装封装,这种封装类型的优点在于占用空间小,适合高密度电子电路设计。表面贴装技术(SMT)也加快了装配速度,提高了生产效率,是现代电子设备中普遍采用的封装形式。
综上所述,DZT651-13 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,凭借其高集电极电流能力、低饱和压降、低泄漏电流、高增益及宽温度范围等特点,使其在电子产品设计中具有广泛的应用潜力与高适应性。此外,SOT-223 封装也为其在现代电子设计中提供了极大的便利。无论是在音频应用、开关电源还是通信设备中,DZT651-13 都能提供稳定可靠的性能,是设计工程师的理想选择。