ZXM61N02FTC 产品实物图片
ZXM61N02FTC 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXM61N02FTC

商品编码: BM0084960005
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
功率场效应管 MOSFET N通道 20 V 1.7 A 0.18 ohm SOT-23 表面安装
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.965
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.965
--
150+
¥0.743
--
1000+
¥0.674
--
5000+
¥0.648
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXM61N02FTC参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.7V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)180 毫欧 @ 930mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)700mV @ 250µAVgs(最大值)±12V
功率耗散(最大值)625mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3漏源电压(Vdss)20V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)3.4nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)160pF @ 15V

ZXM61N02FTC手册

empty-page
无数据

ZXM61N02FTC概述

产品概述:ZXM61N02FTC N通道 MOSFET

1. 引言

ZXM61N02FTC是由Diodes Incorporated制造的高性能N通道MOSFET,适用于多种电子电路中的开关和放大应用。该MOSFET在多个应用环境中展现了优越的电气特性,具有低导通电阻和宽工作温度范围,特别适合用于电源管理、电源转换以及驱动电路。

2. 产品特性

  • 类型: N通道功率场效应管 (MOSFET)。
  • 封装: SOT-23-3(TO-236-3 / SC-59),表面贴装型设计。
  • 最大漏源电压 (Vdss): 20V,确保在许多低压应用中安全运行。
  • 连续漏极电流 (Id): 1.7A (在25°C时),使其能够处理较大的电流负载。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 最多180毫欧(@ 930mA,4.5V),确保在导通时损耗最低,提高系统的整体效率。
  • 门源电压 (Vgs max): ±12V,提供对栅极驱动电压的灵活性,适应不同控制电路。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 700mV(@ 250µA),较低的阈值电压允许在较低的驱动电压下开通。
  • 功率耗散 (最大值): 625mW(Ta),提高了器件的热管理能力。
  • 工作温度范围: -55°C至150°C(TJ),使其适用于严格的环境条件。

3. 性能参数

ZXM61N02FTC具有一系列优秀的电气性能,能够满足高效能设计的要求:

  • 低栅极电荷 (Qg): 3.4nC(@ 4.5V),提供快速的开关速度,降低开关损耗。
  • 输入电容 (Ciss): 最大160pF(@ 15V),在高频工作条件下也能表现稳定。
  • 额外的稳定性: 由于其宽工作温度范围和高耐压能力,ZXM61N02FTC适合于从汽车到消费电子等多个应用场景。

4. 应用场景

ZXM61N02FTC广泛应用于:

  • 电源管理电路: 例如开关电源(SMPS),降低能量损耗,提高效率。
  • 电机驱动: 用于小型电机的驱动电路,如风扇、泵等。
  • 信号开关: 适用于各种开关应用,能够在低能耗的情况下提供精确的信号传输。
  • LED驱动: 由于其高效的导通能力,适合用于LED照明的驱动需求。

5. 总结

ZXM61N02FTC是一个具备高性能和可靠性的N通道MOSFET,具有多种电气特性优势,适应了现代电子设备对小型化和高效率的要求。其广泛的应用前景,加上优秀的温度和电压特性,使其成为各类电子设计中不可或缺的重要元件。

对于设计师而言,ZXM61N02FTC提供了一种有效的选择,将成为实现高效能电路设计的重要组成部分。无论是在电源管理、信号开关还是驱动控制应用中,这款MOSFET都能快速、可靠地满足严格的性能要求,从而推动设备性能的提升与创新。因此,ZXM61N02FTC不仅适合于现有产品的升级改造,也为新产品的开发提供了坚实的基础。