制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.7V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 930mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA | Vgs(最大值) | ±12V |
功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.4nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 160pF @ 15V |
ZXM61N02FTC是由Diodes Incorporated制造的高性能N通道MOSFET,适用于多种电子电路中的开关和放大应用。该MOSFET在多个应用环境中展现了优越的电气特性,具有低导通电阻和宽工作温度范围,特别适合用于电源管理、电源转换以及驱动电路。
ZXM61N02FTC具有一系列优秀的电气性能,能够满足高效能设计的要求:
ZXM61N02FTC广泛应用于:
ZXM61N02FTC是一个具备高性能和可靠性的N通道MOSFET,具有多种电气特性优势,适应了现代电子设备对小型化和高效率的要求。其广泛的应用前景,加上优秀的温度和电压特性,使其成为各类电子设计中不可或缺的重要元件。
对于设计师而言,ZXM61N02FTC提供了一种有效的选择,将成为实现高效能电路设计的重要组成部分。无论是在电源管理、信号开关还是驱动控制应用中,这款MOSFET都能快速、可靠地满足严格的性能要求,从而推动设备性能的提升与创新。因此,ZXM61N02FTC不仅适合于现有产品的升级改造,也为新产品的开发提供了坚实的基础。