驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.7V,2.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,600mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 70ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DGD2304S8-13是一款由DIODES(美台)公司生产的高性能栅极驱动器。设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET,这款半桥驱动器专门用于各种高效能功率转换应用,是现代电力电子和驱动系统中不可或缺的核心元件。通过集成化的设计,DGD2304S8-13不仅可以提供卓越的性能,同时极大地减少了所需的外部元器件数量,从而提升了系统的整体可靠性和稳定性。
DGD2304S8-13的基本驱动配置为半桥结构,可控制两个独立的通道,采用非反相输入类型设计。其供电电压范围为10V到20V,支持广泛的操作电压范围,能够兼容多种电源应用。此外,该驱动器的逻辑电压阈值设计为VIL为0.7V和VIH为2.3V,确保在不同的逻辑电平下均能稳定工作。
该产品能够提供高达290mA的灌入电流和600mA的拉出电流,适用于需要快速开关的应用场合。其上升时间和下降时间分别为70ns和35ns,使得DGD2304S8-13在电流波动和负载变化时表现出色,能够实现快速的开关响应,实现高效的功率转换。
DGD2304S8-13的高压侧电压最大值可达到600V,支持高压应用需求,适用于工业和消费类电子设备。该驱动器的工作温度范围为-40°C到150°C,保证其在极端环境下的可靠性。无论是在极高或极低温环境中,这款产品都能够表现出优异的稳定性和一致性。
此驱动器还采用表面贴装型(SMD18),标准化的8-SOIC封装形式,便于自动化组装和减少PCB空间使用率。该特性使其在现代电子设计中极具吸引力,尤其在追求小型化和高密度布局的应用场景中,再次提升了其设计灵活性。
DGD2304S8-13广泛应用于多个领域,如电动机驱动、开关电源、逆变器、光伏系统、及其他相关功率电子产品。它适用于高频率的开关操作,能够有效驱动各类半导体器件,提升功率转换效率,降低系统的功耗。
此外,由于其高工作温度范围和高电压承受能力,DGD2304S8-13极其适合于工业设备中的严苛环境应用,包括但不限于伺服电机控制、UPS(不间断电源)系统以及电动车辆的动力总成系统。
DGD2304S8-13是一款稳定性高、响应快、并具有广泛应用范围的栅极驱动器。凭借其独特的设计和卓越的性能,它能够支持现代电子产品在高效能和低功耗之间找到理想的平衡。无论是在设计电动机驱动、开关电源还是其他高压应用时,DGD2304S8-13都将成为您值得信赖的选择。结合DIODES的品牌实力和持续的技术创新,DGD2304S8-13将为您的产品提供长期、可靠的解决方案。